بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2019045652) PHOTODETECTOR
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2019/045652 رقم الطلب الدولي: PCT/SG2018/050446
تاريخ النشر: 07.03.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 04.09.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 31/0232 (2014.01) ,H01L 31/0304 (2006.01) ,H01L 31/105 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY [SG/SG]; 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SG
THALES SOLUTIONS ASIA PTE LTD [SG/SG]; 21 Changi North Rise, Singapore 498788, SG
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3 rue Michel-Ange, 75794 Paris Cedex 16, FR
المخترعون:
ZHANG, Dao Hua; SG
TONG, Jinchao; SG
TOBING, Landobasa Yosef Mario Alexander Lumban; SG
QIU, Shupeng; SG
الوكيل:
ONG, Jean Li, Magdelene; SG
بيانات الأولوية:
10201707146W04.09.2017SG
العنوان (EN) PHOTODETECTOR
(FR) PHOTODÉTECTEUR
الملخص:
(EN) A photodetector (10) is provided. The photodetector (10) includes a substrate (12), a p-type semiconductor region (14) on the substrate (12), an intrinsic semiconductor region (16) on the p-type semiconductor region (14), an n-type semiconductor region (18) on the intrinsic semiconductor region (16), a surface plasmonic structure (20) on the n-type semiconductor region (18), a cathode (22) electrically connected to the n-type semiconductor region (18), and an anode (24) electrically connected to the p-type semiconductor region (14).
(FR) L'invention concerne un photodétecteur (10). Le photodétecteur (10) comprend un substrat (12), une région semi-conductrice de type p (14) sur le substrat (12), une région semi-conductrice intrinsèque (16) sur la région semi-conductrice de type p (14), une région semi-conductrice de type n (18) sur la région semi-conductrice intrinsèque (16), une structure plasmonique de surface (20) sur la région semi-conductrice de type n (18), une cathode (22) connectée électriquement à la région semi-conductrice de type n (18), et une anode (24) connectée électriquement à la région semi-conductrice de type p (14).
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: الإنكليزية (EN)
لغة الإيداع: الإنكليزية (EN)