بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2019045435) LIGHT EMITTING DIODE APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2019/045435 رقم الطلب الدولي: PCT/KR2018/009954
تاريخ النشر: 07.03.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 29.08.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/36 (2010.01) ,H01L 33/10 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 129, Samsung-ro, Yeongtong-gu Suwon-si Gyeonggi-do 16677, KR
المخترعون:
KIM, Jae-seok; KR
KANG, Jin-hee; KR
KANG, Ji-hoon; KR
الوكيل:
KIM, Tae-hun; KR
JEONG, Hong-sik; KR
بيانات الأولوية:
10-2017-011208601.09.2017KR
العنوان (EN) LIGHT EMITTING DIODE APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) APPAREIL À DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
الملخص:
(EN) A method of manufacturing a light emitting diode is provided. The method includes forming a semiconductor layer on a substrate, forming a mask layer including a plurality of grooves on the semiconductor layer, forming a plurality of nanostructures in the plurality of grooves, respectively, forming an etched region by etching an outer region of the semiconductor layer and an inner region of the semiconductor layer different from the outer region, forming a first electrode on the etched region of the semiconductor layer, forming an insulation layer on the first electrode, and forming a second electrode on the insulation layer and the plurality of nanostructures.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication de diode électroluminescente. Le procédé consiste à : former une couche semi-conductrice sur un substrat, former une couche de masque comprenant une pluralité de rainures sur la couche semi-conductrice, former une pluralité de nanostructures dans la pluralité de rainures, respectivement, former une région gravée par gravure d'une région externe de la couche semi-conductrice et d'une région interne de la couche semi-conductrice différente de la région externe, former une première électrode sur la région gravée de la couche semi-conductrice, former une couche d'isolation sur la première électrode, et former une seconde électrode sur la couche d'isolation et la pluralité de nanostructures.
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: الإنكليزية (EN)
لغة الإيداع: الإنكليزية (EN)