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1. (WO2019045340) SUBSTRATE PLACING MEANS AND SUBSTRATE TREATING DEVICE
Document

명세서

발명의 명칭

기술분야

1  

배경기술

2   3   4   5  

발명의 상세한 설명

기술적 과제

6  

과제 해결 수단

7   8   9  

발명의 효과

10   11  

도면의 간단한 설명

12   13   14   15   16   17   18   19   20  

발명의 실시를 위한 형태

21   22   23   24   25   26   27   28   29   30   31   32   33   34   35   36   37   38   39   40   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70  

청구범위

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20  

도면

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12  

명세서

발명의 명칭 : 기판안치수단 및 기판처리장치

기술분야

[1]
본 발명은 기판에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 처리공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.

배경기술

[2]
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 상에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 한다. 이를 위해, 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 증착공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각공정 등과 같은 기판에 대한 처리공정이 이루어진다. 이러한 기판에 대한 처리공정은 기판처리장치에 의해 이루어진다.
[3]
도 1은 종래 기술에 따른 기판처리장치에 대한 개략적인 일부 측단면도이다.
[4]
도 1을 참고하면, 종래 기술에 따른 기판처리장치(10)는 기판(S)이 투입되어 처리되는 공간을 제공하는 챔버(11), 복수의 기판(S)이 탑재 지지되는 디스크(12), 및 상기 디스크(12) 측으로 가스를 분사하는 분사유닛(미도시)이 설치된다. 상기 디스크(12)는 상기 챔버(11)의 내부에 설치된다. 상기 분사유닛이 기판(S)에 가스를 분사함에 따라, 상기 디스크(12)에 지지된 기판(S)에 대한 처리공정이 이루어진다.
[5]
여기서, 종래 기술에 따른 기판처리장치(10)는 기판(S)의 상면(S1)이 상기 디스크(12)의 상면(121)과 동일 평면상에 위치한다. 즉, 기판(S)의 상면(S1) 및 상기 디스크(12)의 상면(121)은 동일한 높이에 위치한다. 이에 따라, 종래 기술에 따른 기판처리장치(10)는 상기 디스크(12)와 챔버(11) 사이의 공간을 통해 가스가 원활하게 배기되지 못하므로, 증착공정, 식각공정 등과 같은 처리공정을 거친 박막의 품질이 저하되는 문제가 있다.

발명의 상세한 설명

기술적 과제

[6]
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 챔버 내부로 공급된 가스를 원활하게 배기시킬 수 있는 기판안치수단 및 기판처리장치를 제공하기 위한 것이다.

과제 해결 수단

[7]
상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.
[8]
본 발명에 따른 기판안치수단은 기판처리장치의 기판안치수단으로서, 디스크; 및 상기 디스크의 중심에서 방사상으로 배치되며, 기판이 각각 안치되는 복수개의 기판안치부를 포함할 수 있다. 상기 기판안치부의 상면은 상기 디스크의 상면보다 상측으로 더 돌출될 수 있다.
[9]
본 발명에 따른 기판처리장치는 챔버; 상기 챔버 내에 처리가스를 공급하는 가스분사부; 및 복수개의 기판이 안치되는 기판안치수단을 포함할 수 있다. 상기 기판안치수단은 디스크, 및 상기 디스크의 중심에서 방사상으로 배치되는 복수개의 기판안치부를 포함할 수 있다. 상기 기판안치부의 상면은 상기 디스크의 상면보다 상측으로 더 돌출될 수 있다.

발명의 효과

[10]
본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.
[11]
본 발명은 처리가스를 원활하게 배기시킬 수 있도록 구현됨으로써, 기판에 대한 처리공정에 사용된 후에 잔존하는 처리가스의 양을 감소시킬 수 있으므로, 증착공정, 식각공정 등과 같은 처리공정을 거친 박막의 품질을 향상시킬 수 있다.

도면의 간단한 설명

[12]
도 1은 종래 기술에 따른 기판처리장치에 대한 개략적인 일부 측단면도
[13]
도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치의 개략적인 분해사시도
[14]
도 3은 본 발명에 따른 기판처리장치의 개략적인 측단면도
[15]
도 4는 본 발명에 따른 기판처리장치에 대한 개략적인 일부 측단면도
[16]
도 5는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 디스크 및 기판안치부들의 개념적인 평면도
[17]
도 6은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 기판안치부 및 디스크에 대한 개략적인 분해 측단면도
[18]
도 7 및 도 8은 센터링기능을 설명하기 위해 도 6의 A 부분을 확대하여 나타낸 개략적인 측단면도
[19]
도 9 및 도 10은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 정렬부를 설명하기 위한 개념적인 평면도
[20]
도 11 및 도 12는 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리장치에 대한 개략적인 일부 측단면도

발명의 실시를 위한 형태

[21]
이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명에 따른 기판안치수단은 본 발명에 따른 기판처리장치에 포함될 수 있으므로, 본 발명에 따른 기판처리장치의 실시예를 설명하면서 함께 설명한다.
[22]
도 2 내지 도 4를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 기판(S)에 대한 처리공정을 수행하는 것이다. 예컨대, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 기판(S)에 박막을 증착하는 증착공정 및 기판(S)에 증착된 박막의 일부를 제거하는 식각공정 중에서 적어도 하나를 수행할 수 있다. 예컨대, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 CVD(Chemical Vapor Depostion), ALD(Atomic Layer Deposition) 등과 같은 증착공정을 수행할 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 챔버(2), 가스분사부(3), 및 기판안치수단(4)을 포함한다.
[23]
도 2 및 도 3을 참고하면, 상기 챔버(2)는 상기 처리공정이 이루어지는 처리공간을 제공하는 것이다. 상기 챔버(2)에는 상기 디스크(3)가 결합될 수 있다.
[24]
상기 챔버(2)는 상면이 개방된 본체(21), 및 상기 본체(21)의 개방된 상단면(上端面)에 결합된 리드(22)를 포함할 수 있다. 상기 본체(21)와 상기 리드(22)가 상호 결합되어서 상대적으로 하측(DD 화살표 방향)과 상측(UD 화살표 방향)에 각각 위치할 수 있다. 이에 따라, 상기 챔버(2)의 하부(下部)는 상기 본체(21)에 해당하고, 상기 챔버(2)의 상부(上部)는 상기 리드(22)에 해당할 수 있다. 상기 리드(22)는 상기 본체(21)에 결합됨으로써, 상기 처리공간을 밀폐시킬 수 있다. 상기 리드(22) 및 상기 챔버(2)는 도 2에 도시된 바와 같이 원통형 구조로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 타원형 구조, 다각형 구조 등으로 형성될 수도 있다.
[25]
상기 챔버(2)에는 상기 처리공간에 존재하는 가스 등을 배기시키기 위한 배기구(23)가 설치될 수 있다. 상기 배기구(23)는 상기 챔버(2)의 본체(21)에 설치될 수 있다.
[26]
상기 챔버(2)에는 기판출입구(24)가 형성될 수 있다. 상기 기판출입구(24)는 기판(S)이 출입하기 위한 통로이다. 기판(S)은 상기 기판출입구(24)를 통해 상기 챔버(2)의 내부로 반입될 수 있고, 상기 챔버(2)의 외부로 반출될 수 있다. 상기 기판출입구(24)는 개폐유닛(미도시)에 의해 개폐될 수 있다. 상기 기판출입구(24)는 상기 챔버(2)의 본체(21)에 형성될 수 있다.
[27]
도 2 내지 도 4를 참고하면, 상기 가스분사부(3)는 처리가스를 분사하는 것이다. 상기 가스분사부(3)는 상기 리드(22)에 결합되어서 상기 디스크(5) 및 상기 기판안치부(5) 쪽으로 처리가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 가스분사부(3)는 상기 기판안치부(4)에 안치된 기판(S)을 향해 처리가스를 분사할 수 있다. 상기 가스분사부(3)는 상기 기판안치부(4)의 상측(UD 화살표 방향)에 위치하도록 상기 리드(22)에 결합될 수 있다. 상기 가스분사부(3)는 복수개의 가스분사모듈을 포함할 수 있다. 상기 가스분사모듈들 중에서 적어도 하나는 소스가스를 분사할 수 있다. 상기 가스분사모듈들 중에서 적어도 하나는 반응가스를 분사할 수 있다. 상기 가스분사모듈들 중에서 적어도 하나는 퍼지가스를 분사할 수 있다. 상기 가스분사모듈들은 서로 이격된 위치에서 상기 리드(22)에 결합될 수 있다. 이에 따라, 상기 가스분사모듈들은 서로 다른 공간에 처리가스를 분사할 수 있다. 상기 가스분사부(3)가 분사한 처리가스는, 상기 처리공정에 사용된 후에 상기 디스크(5)와 상기 챔버(2) 사이의 공간으로 유동하여 상기 챔버(2)에 설치된 배기부를 통해 상기 챔버(2)의 외부로 배기될 수 있다.
[28]
도 2 내지 도 4를 참고하면, 상기 기판안치수단(4)은 기판(S)을 지지하는 것이다. 상기 기판안치수단(4)에는 복수개의 기판(S)이 안치될 수 있다. 상기 기판안치수단(4)은 상기 챔버(2)의 내부에 위치할 수 있다. 상기 기판안치수단(4)은 상기 가스분사부(2)의 하측(DD 화살표 방향)에 위치하도록 상기 챔버(2)에 결합될 수 있다.
[29]
상기 기판안치수단(4)은 본 발명에 따른 기판안치수단으로 구현될 수 있다. 상기 기판안치수단(4)은 디스크(5) 및 복수개의 기판안치부(6)를 포함할 수 있다.
[30]
도 2 내지 도 4를 참고하면, 상기 디스크(5)는 상기 기판안치부(6)들을 지지하는 것이다. 상기 디스크(5)는 상기 기판안치부(6)들을 지지함으로써, 상기 기판안치부(6)들 각각에 안치된 기판(S)들을 지지할 수 있다. 상기 디스크(5)는 상기 챔버(2)의 내부에 위치하도록 상기 챔버(2)에 결합될 수 있다.
[31]
상기 디스크(5)는 상기 챔버(2)에 회전 가능하게 결합될 수 있다. 상기 디스크(5)는 중심(5a)을 회전축으로 하여 회전할 수 있다. 상기 디스크(5)의 중심(5a)은 상기 디스크(5)의 외주면으로부터 동일한 거리로 이격된 지점이다. 상기 챔버(2)에는 상기 디스크(5)를 회전시키기 위한 회전부(20, 도 3에 도시됨)가 결합될 수 있다.
[32]
상기 디스크(5)가 상기 중심(5a)을 회전축으로 하여 회전함에 따라, 상기 기판안치부(5) 및 상기 기판안치부(5)들에 안치된 기판(S)들은, 상기 디스크(5)의 중심(5a)을 회전축으로 하여 공전(公轉)할 수 있다. 상기 디스크(5)는 상기 가스분사부(5)의 하측(DD 화살표 방향)에 위치할 수 있다. 이에 따라, 상기 디스크(5)가 상기 중심(5a)을 회전축으로 하여 회전하면, 상기 기판안치부(5)들에 안치된 기판(S)들은 상기 가스분사부(5)이 갖는 가스분사모듈들의 하측(DD 화살표 방향)을 순차적으로 통과할 수 있다.
[33]
상기 디스크(5)의 상면(51)은 상기 기판안치부(6)의 상면(61) 보다 하측(DD 화살표 방향)에 위치할 수 있다. 이 경우, 상기 기판안치부(6)의 상면(61)이 상기 디스크(5)의 상면(51)보다 상측(UD 화살표 방향)으로 더 돌출될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 기판의 상면과 디스크의 상면이 동일 평면상에 위치한 종래 기술과 대비할 때, 상기 디스크(5)의 상측(UD 화살표 방향)에 더 넓은 배기공간(ES)을 확보할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 가스분사부(3)로부터 분사된 처리가스를 원활하게 배기시킬 수 있으므로, 기판(S)에 대한 처리공정에 사용된 후에 잔존하는 처리가스의 양을 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 증착공정, 식각공정 등과 같은 처리공정을 거친 박막의 품질을 향상시킬 수 있다. 상기 가스분사부(3)가 분사한 처리가스는, 상기 처리공정에 사용된 후에 상기 배기공간(ES)을 거쳐 상기 디스크(5)와 상기 챔버(2)의 사이를 통과하여 상기 챔버(2)의 외부로 배기될 수 있다. 이 경우, 상기 배기공간(ES)은 상기 디스크(5)에서 상기 기판안치부(6)들이 위치한 부분의 외측에 배치될 수 있다.
[34]
상기 디스크(5)에서 상기 기판안치부(6)가 위치한 부분을 제외한 나머지 부분의 상면(51)은, 상기 기판안치부(6)의 상면(61) 보다 하측(DD 화살표 방향)에 위치할 수 있다. 이 경우, 상기 배기공간(ES)은 상기 디스크(5)에서 상기 기판안치부(6)들이 위치한 부분의 내측, 및 상기 디스크(5)에서 상기 기판안치부(6)들이 위치한 부분의 외측에 배치될 수 있다. 상기 디스크(5)에서 상기 기판안치부(6)들이 위치한 부분의 내측에는, 처리가스를 배기시키기 위한 배기구(미도시)가 설치될 수 있다. 상기 배기구는 상기 디스크(5)의 중심(5a)에 연결되게 설치될 수 있다.
[35]
상기 디스크(5)의 상면(51)과 상기 기판안치부(6)의 상면(61)의 높이 차이(H)는 3 mm 초과 30 mm 미만일 수 있다. 상기 높이 차이(H)가 3 mm 이하인 경우, 상기 배기공간(ES)의 크기 감소로 인해 처리가스를 원활하게 배기시키기 어렵다. 상기 높이 차이(H)가 30 mm 이상인 경우, 상기 배기공간(ES)의 크기 증가로 인해 상기 처리공정에 사용되지 못하고 배기되는 처리가스의 양이 증가하므로, 처리가스가 낭비될 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 높이 차이(H)가 3 mm 초과 30 mm 미만으로 구현됨으로써, 처리가스를 원활하게 배기시킬 수 있음과 동시에 처리가스에 대한 낭비량을 감소시킬 수 있다.
[36]
도 2 내지 도 5를 참고하면, 상기 기판안치부(6)들은 각각 기판(S)을 지지하는 것이다. 상기 기판(S)들은 상기 기판안치부(6)들 각각에 안치됨으로써, 상기 기판안치부(6)들 각각에 지지될 수 있다. 상기 기판안치부(6)들은 상기 디스크(5)의 중심(5a)에서 방사상으로 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 기판안치부(6)들은 상기 디스크(5)의 중심(5a)을 기준으로 하여 동일한 각도로 이격되도록 배치될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이 상기 디스크(5)에 상기 기판안치부(6)들이 6개 배치된 경우, 상기 기판안치부(6)들은 상기 디스크(5)의 중심(5a)을 기준으로 하여 60도씩 이격되도록 배치될 수 있다.
[37]
상기 기판안치부(6)들의 중심(6a, 도 5에 도시됨)은 상기 디스크(5)의 중심(5a)에서 동심원(CC)상에 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판안치부(6)들 각각에 안치된 기판(S)들에 대해 동일한 공정환경을 제공하도록 구현될 수 있다. 상기 기판안치부(6)들의 중심(6a)은 상기 기판안치부(6)들 각각의 외주면으로부터 동일한 거리로 이격된 지점이다.
[38]
상기 기판안치부(6)들의 상면(6a)은 상기 디스크(5)의 상면(5a)보다 상측(UD 화살표 방향)으로 더 돌출될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 배기공간(ES)의 크기를 늘림으로써, 처리가스를 원활하게 배기시킬 수 있도록 구현된다. 상기 기판안치부(6)들 및 상기 디스크(5)는 일체로 형성될 수 있다.
[39]
도 2 내지 도 9를 참고하면, 상기 기판안치부(6)들은 각각 상기 디스크(5)로부터 분리 가능하게 구현될 수도 있다. 도 9에는 상기 기판안치부(6)가 점선으로 도시되어 있으나, 이는 설명의 편의를 위한 것이다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 다음과 같은 작용 효과를 도모할 수 있다.
[40]
첫째, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판안치부(6)들 중에서 손상 내지 파손된 것에 대해서만 개별적으로 교체, 수리 등과 같은 유지보수작업이 이루어질 수 있도록 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 유지보수작업에 걸리는 비용을 줄일 수 있고, 유지보수작업에 걸리는 시간을 줄여서 가동률을 증대시킬 수 있다.
[41]
둘째, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 도 9에 도시된 바와 같이 상기 기판안치부(6)가 향하는 방향이 변경되도록 상기 기판안치부(6)를 상기 디스크(5)에 대해 독립적으로 회전시킬 수 있다. 상기 기판안치부(6)가 중심(6a)을 기준으로 자전(自轉)함에 따라 상기 기판안치부(6)에 안치된 기판(S)도 함께 자전하면, 상기 기판안치부(6)에 안치된 기판(S)은 상기 디스크(5)의 중심(5a)을 향하는 부분이 변경될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 기판(S) 상에 위치한 박막의 두께에 대한 균일성을 향상시킬 수 있다.
[42]
예컨대, 상기 기판안치부(6)에 기판(S)이 안치된 상태에서, 상기 디스크(5)가 중심(5a)을 회전축으로 회전하여 제1사이클로 처리공정을 수행한 후에, 상기 기판안치부(6)는 중심(6a)을 회전축으로 하여 180도 자전할 수 있다. 그 후, 상기 디스크(5)는 중심(5a)을 회전축으로 회전하여 제2사이클로 처리공정을 수행할 수 있다. 이에 따라, 제1사이클로 처리공정을 수행할 때에는 상기 디스크(5)의 중심(5a)을 향하던 부분이, 제2사이클로 처리공정을 수행할 때에는 상기 디스크(5)의 외측을 향하도록 배치될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 처리공정을 수행하는 과정에서 상기 기판안치부(6)에 안치된 기판(S)에서 상기 디스크(5)의 중심(5a)을 향하는 부분을 변경할 수 있으므로, 기판(S)에 대해 부분적으로 발생하는 공정환경의 차이를 보상할 수 있다.
[43]
도시되지 않았지만, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판안치부(6)를 승강 및 회전시키는 방향변경부를 포함할 수 있다. 상기 방향변경부는 상기 기판안치부(6)가 상기 디스크(5)로부터 이격되도록 상기 기판안치부(6)를 승강시킨 후에, 상기 기판안치부(6)를 회전시켜서 기판(S)의 방향을 변경할 수 있다. 그 후, 상기 방향변경부는 상기 기판안치부(6)를 하강시켜서 상기 디스크(5)에 안착시킬 수 있다. 상기 방향변경부는 상기 기판안치부(6)의 하측(DD 화살표 방향)에 위치하도록 상기 챔버(2)에 결합될 수 있다. 상기 기판안치부(6)가 복수개 구비된 경우, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판안치부(6)의 개수에 대응되는 개수로 상기 방향변경부를 포함할 수 있다.
[44]
상기 기판안치부(6)들은 상기 디스크(5)에 형성된 복수개의 삽입부(52)를 통해 상기 디스크(5)에 분리 가능하게 구현될 수 있다.
[45]
상기 삽입부(52)들은 상기 디스크(5)의 중심(5a)에서 방사상으로 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 삽입부(52)들은 상기 디스크(5)의 중심(5a)을 기준으로 하여 동일한 각도로 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 삽입부(52)들은 상기 디스크(5)를 관통하여 형성될 수 있다. 상기 삽입부(52)들은 상기 디스크(5)에 일정 깊이로 홈을 가공하여 형성될 수도 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 삽입부(52) 및 상기 기판안치부(6)를 서로 동일한 개수로 구비할 수 있다.
[46]
상기 삽입부(52)들 중 하나는 상기 기판안치부(6)들 중 하나와 연결되거나 분리될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판안치부(6)들은 각각 상기 디스크(5)로부터 분리 가능하게 구현될 수 있다. 상기 삽입부(52)들 각각에는 상기 기판안치부(6)들 중 하나가 배정될 수 있다. 이 경우, 상기 기판안치부(6)의 일부가 상기 삽입부(52)에 삽입될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판안치부(6)는 상기 디스크(5)의 지지면(53)에 지지됨으로써, 상기 삽입부(52)에 삽입된 상태로 유지될 수 있다. 상기 지지면(53)은 상기 디스크(5)에 상기 삽입부(52)가 형성됨에 따라 상기 삽입부(52)를 향하도록 배치된 면(面)이다. 상기 지지면(53)은 원형의 고리 형태로 형성될 수 있다.
[47]
상기 삽입부(52)들 각각은 상기 디스크(5)의 상면(51)에서 제1내경(521, 도 6에 도시됨)을 갖고, 상기 디스크(5)의 하면에서 제2내경(522, 도 6에 도시됨)을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 제1내경(521)은 상기 제2내경(522)보다 크게 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 지지면(53)들은 상기 디스크(5)의 상면(51)을 기준으로 경사지게 형성될 수 있다. 상기 지지면(53)들은 하측(DD 화살표 방향)으로 연장될수록 상기 기판안치부(6)의 중심(6a)에 가까워지도록 경사지게 형성될 수 있다. 이에 따라, 도 7에 도시된 바와 같이 상기 기판안치부(6)가 상기 삽입부(52)에 대해 어긋나게 배치된 경우에도, 상기 기판안치부(6)는 자중(自重)에 의해 상기 지지면(53)의 경사를 따라 이동하여 정확한 위치에 위치하도록 유도될 수 있다. 즉, 상기 삽입부(52)들 및 상기 지지면(53)들은 상기 기판안치부(6)가 정확한 위치에 위치하도록 유도하는 센터링기능을 갖출 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판안치부(6)들 각각이 정확한 위치에 위치하도록 유도함으로써, 상기 기판안치부(6)들에 안치된 기판(S)들에 대해 동일한 공정환경을 제공하도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 삽입부(52)들 및 상기 지지면(53)들은 상기 기판안치부(6)들의 중심(6a)이 상기 디스크(5)의 중심(5a)에서 동심원(CC, 도 5에 도시됨)상에 배치되도록 유도할 수 있다. 상기 지지면(53)들 중에서 적어도 하나가 상기 디스크(5)의 상면(51)을 기준으로 경사지게 형성될 수 있다.
[48]
상기 기판안치부(6)들은 각각 하면으로부터 하측(DD 화살표 방향)으로 돌출된 센터링부재(62)를 포함할 수 있다. 상기 센터링부재(62)들은 각각 하측(DD 화살표 방향)으로 돌출될수록 직경이 감소되게 형성될 수 있다. 상기 센터링부재(62)들은 상기 삽입부(52)들 각각에 삽입됨으로써, 상기 지지면(53)들 각각에 지지될 수 있다. 이 경우, 상기 지지면(53)들은 각각 하측(DD 화살표 방향)으로 연장될수록 직경이 감소하도록 경사지게 형성될 수 있다. 이에 따라, 도 7에 도시된 바와 같이 상기 기판안치부(6)가 상기 삽입부(52)에 대해 어긋나게 배치된 경우, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 센터링부재(62) 및 상기 지지면(53) 각각의 경사를 이용하여 상기 기판안치부(6)가 정확한 위치로 이동하도록 유도할 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 센터링부재(62) 및 상기 지지면(53) 각각의 경사를 이용하여 상기 센터링기능을 더 강화할 수 있다.
[49]
상기 기판안치부(6)들은 각각 경사면(621)을 포함할 수 있다. 상기 경사면(621)들은 상기 지지면(53)들 각각에 접촉되는 것이다. 상기 경사면(621)들은 상기 센터링부재(62)들 각각의 외주면에 해당할 수 있다. 상기 경사면(621) 및 상기 지지면(53) 중 적어도 하나는 상기 디스크(5)의 상면(51)을 기준으로 경사지게 형성될 수 있다. 상기 경사면(621)이 상기 디스크(5)의 상면(51)을 기준으로 경사지게 형성된 경우, 상기 센터링기능은 상기 경사면(621)에 의해 구현될 수 있다. 상기 지지면(53)이 상기 디스크(5)의 상면(51)을 기준으로 경사지게 형성된 경우, 상기 센터링기능은 상기 지지면(53)에 의해 구현될 수 있다. 상기 경사면(621) 및 상기 지지면(53) 모두가 상기 디스크(5)의 상면(51)을 기준으로 경사지게 형성된 경우, 상기 센터링기능은 상기 경사면(621) 및 상기 지지면(53) 모두에 의해 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 경사면(621) 및 상기 지지면(53)은 서로 대응되는 각도로 경사지게 형성될 수 있다.
[50]
상기 경사면(621) 및 상기 지지면(53) 모두가 상기 디스크(5)의 상면(51)을 기준으로 경사지게 형성된 경우, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 경사면(621) 및 상기 지지면(53)이 서로 접촉되면, 가스가 상기 디스크(5) 및 상기 기판안치부(6)들 사이의 틈새를 통과하기 위해 이동해야 하는 길이를 증대시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 가스분사부(3)로부터 분사된 처리가스가 상기 디스크(5) 및 상기 기판안치부(6)들 사이의 틈새를 통과하기 어렵도록 구현될 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 처리가스에 대한 실링기능을 강화할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 처리가스에 대한 낭비량을 더 감소시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 증착공정을 수행하는 경우, 불필요한 부분에 증착이 이루어짐에 따라 오염이 발생하는 정도를 감소시킬 수 있다.
[51]
한편, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판안치부(6)들의 하측(DD 화살표 방향)에서 보호가스를 분사하도록 구현될 수 있다. 보호가스는 상기 디스크(5) 및 상기 기판안치부(6)들 사이의 틈새를 통해 처리가스가 침투하는 것을 방지하는 것이다. 그러나 보호가스의 분사력이 너무 강하면, 보호가스가 상기 디스크(5) 및 상기 기판안치부(6)들 사이의 틈새를 통과하여 처리공정에 영향을 미칠 수 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 경사면(621) 및 상기 지지면(53) 모두가 상기 디스크(5)의 상면(51)을 기준으로 경사지게 형성되어서 서로 접촉됨으로써, 보호가스가 상기 디스크(5) 및 상기 기판안치부(6)들 사이의 틈새를 통과하기 어렵도록 구현될 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 보호가스에 대한 실링기능을 강화할 수 있다.
[52]
도 2 내지 도 10을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 정렬부(7, 도 6에 도시됨)를 포함할 수 있다. 도 10에는 상기 기판안치부(6)가 점선으로 도시되어 있으나, 이는 설명의 편의를 위한 것이다.
[53]
상기 정렬부(7)는 상기 기판안치부(6)가 상기 디스크(5)에 대해서 소정의 방향으로 결합되도록 하는 것이다. 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이 상기 기판안치부(6)가 향하는 방향이 변경되도록 회전한 경우, 상기 정렬부(7)는 상기 기판안치부(6)가 기설정된 방향 중에서 어느 한 방향으로 유지되도록 정렬할 수 있다. 예컨대, 상기 정렬부(7)는 상기 기판안치부(6)가 180도씩 회전하여 2개의 방향으로 변경되도록 상기 기판안치부(6)를 정렬할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 처리공정을 수행하는 과정에서 상기 기판안치부(6) 및 상기 기판안치부(6)에 안치된 기판(S)의 회전을 통해 기판(S)에 대해 부분적으로 발생하는 공정환경의 차이를 보상할 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 정렬부(7)를 복수개 포함할 수 있다.
[54]
상기 정렬부(7)들은 각각 정렬돌기(71) 및 정렬홈(72)을 포함할 수 있다.
[55]
상기 정렬돌기(71)들은 각각 상기 기판안치부(6)들 각각의 하면으로부터 돌출될 수 있다. 상기 기판안치부(6)들 각각에 센터링부재(62)가 구비된 경우, 상기 정렬돌기(71)들은 상기 센터링부재(62)의 외측에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 정렬돌기(71)들은 상기 센터링부재(62)가 상기 삽입부(52)에 삽입되는 것에 간섭되지 않도록 배치될 수 있다. 상기 정렬돌기(71)들은 각각 원통형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 정렬홈(72)에 삽입될 수 있는 형태이면 다각형 형태 등 다른 형태로 형성될 수도 있다. 상기 정렬돌기(71)들은 각각 하측(DD 화살표 방향)으로 연장될수록 크기가 감소되게 형성될 수 있다.
[56]
상기 정렬홈(72)들은 각각 상기 디스크(5)에 형성될 수 있다. 상기 정렬홈(72)들은 상기 삽입부(52)들 각각의 외측에 형성될 수 있다. 상기 기판안치부(6)들은 각각 상기 정렬돌기(71)들이 상기 정렬홈(72)들 각각에 삽입됨에 따라 상기 디스크(5)에 분리 가능하게 결합될 수 있다. 상기 정렬돌기(71)들은 상기 정렬홈(72)들 각각에 삽입되어서 상기 디스크(5)에 지지됨으로써, 상기 기판안치부(6)들을 상기 디스크(5)에 대해서 소정의 방향으로 결합된 상태로 유지시킬 수 있다.
[57]
여기서, 상기 기판안치부(6)들 각각에는 N개(N은 1보다 큰 정수)의 정렬돌기(71)가 형성될 수 있다. 상기 정렬돌기(71)들은 상기 기판안치부(6)들 각각의 중심(6a)을 기준으로 동일한 각도로 이격되도록 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 디스크(5)에는 상기 삽입부(52)들 각각의 외측에 N개 또는 2N개의 정렬홈(72)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판안치부(6)들 각각의 중심(6a)을 기준으로 회전한 각도에 따라, 상기 정렬돌기(71)들은 서로 다른 정렬홈(72)들에 삽입될 수 있다.
[58]
예컨대, 하나의 기판안치부(6)를 기준으로 상기 정렬돌기(71)들이 2개씩 구비된 경우, 도 9에 도시된 바와 같이 상기 디스크(5)에는 상기 삽입부(52)의 외측에 2개씩의 정렬홈(72)이 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 기판안치부(6)가 중심(6a)을 회전축으로 하여 180도씩 회전하면, 상기 정렬돌기(71)들은 상기 정렬홈(72)들 각각에 삽입될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판안치부(6)에 안치된 기판(S)은 상기 기판안치부(6)의 중심(6a)을 회전축으로 하여 180도씩 회전하여 상기 디스크(5)의 중심(5a)을 향하는 부분이 변경될 수 있다. 상기 정렬홈(72)들은 상기 삽입부(52)의 외측에서 상기 기판안치부(6)의 중심(6a)을 기준으로 180도씩 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 정렬돌기(71)들은 상기 기판안치부(6)의 중심(6a)을 기준으로 180도씩 이격되도록 배치될 수 있다.
[59]
예컨대, 하나의 기판안치부(6)를 기준으로 상기 정렬돌기(71)들이 2개씩 구비된 경우, 도 10에 도시된 바와 같이 상기 디스크(5)에는 상기 삽입부(52)의 외측에 4개씩의 정렬홈(72)이 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 기판안치부(6)가 중심(6a)을 회전축으로 하여 90도씩 회전하면, 상기 정렬돌기(71)들은 상기 정렬홈(72)들 각각에 삽입될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판안치부(6)에 안차된 기판(S)은 상기 기판안치부(6)의 중심(6a)을 회전축으로 하여 90도씩 회전하여 상기 디스크(5)의 중심(5a)을 향하는 부분이 변경될 수 있다. 상기 정렬홈(72)들은 상기 삽입부(52)의 외측에서 상기 기판안치부(6)의 중심(6a)을 기준으로 90도씩 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 정렬돌기(71)들은 상기 기판안치부(6)의 중심(6a)을 기준으로 90도씩 이격되도록 배치될 수 있다.
[60]
도시되지 않았지만, 상기 정렬돌기(71)들은 상기 삽입부(52)들 각각의 외측에서 상측(UD 화살표 방향)으로 돌출되도록 상기 디스크(5)에 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 정렬홈(72)들은 상기 기판안치부(6)들 각각의 하면에 형성될 수도 있다.
[61]
도 11 및 도 12를 참고하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리장치(1)에 있어서, 상기 기판안치부(6)들은 각각 중앙부(63) 및 외곽단턱부(64)를 포함할 수 있다. 도 11 및 도 12에는 상기 기판안치부(6)들 및 상기 디스크(5)가 일체형으로 구현된 실시예를 도시하였으나, 이에 한정되지 않으며 상기 기판안치부(6)들 및 상기 디스크(5)는 분리형으로 구현될 실시예에도 적용될 수 있다.
[62]
상기 중앙부(63)는 기판(S)의 하면을 지지하는 것이다. 상기 중앙부(63)는 상기 외관단턱부(64)의 내측에 위치하도록 배치될 수 있다. 상기 중앙부(63)의 상면은 상기 디스크(5)의 상면(51)보다 상측으로 더 돌출될 수 있다. 상기 중앙부(63)는 기판(S)에 대응되는 형태로 형성될 수 있다.
[63]
상기 외곽단턱부(64)는 기판(S)의 측면을 지지하는 것이다. 상기 중앙부(63) 및 상기 중앙부(63)에 지지된 기판(S)은 상기 외곽단턱부(64)의 내측에 위치할 수 있다. 상기 외곽단턱부(64)는 상기 중앙부(63) 및 상기 중앙부(63)에 지지된 기판(S)을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 외곽단턱부(64)는 원형의 고리 형태로 형성될 수 있다. 상기 외곽단턱부(64)는 상기 중앙부(63)의 상면(51)보다 상측으로 더 돌출될 수 있다. 이에 따라, 상기 외곽단턱부(64)는 상기 중앙부(63)에 지지된 기판(S)의 측면을 지지함으로써, 상기 중앙부(63)에 지지된 기판(S)의 이동을 방지할 수 있다. 상기 외곽단턱부(64)는 기판(S)에 비해 더 큰 직경을 갖도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 외곽단턱부(64)는 상기 중앙부(63)에 지지된 기판(S)의 측면을 지지함으로써, 상기 중앙부(63)에 지지된 기판(S)이 이동 가능한 거리를 제한할 수 있다.
[64]
상기 외곽단턱부(64)에는 가스유로(65)가 형성될 수 있다. 상기 가스유로(65)는 상기 외곽단턱부(64)의 내측 및 상기 디스크(5)의 상면(51) 각각과 연통하도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 처리공정에 사용된 후에 상기 외곽단턱부(64)의 내측에 잔존하는 처리가스는, 상기 가스유로(65)를 통해 상기 외곽단턱부(64)를 통과할 수 있다. 그 후, 처리가스는 상기 배기공간(ES)을 거쳐 배기될 수 있다. 따라서, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리장치(1)는 상기 외곽단턱부(64)가 구비된 경우에도, 상기 가스유로(65)를 통해 처리가스를 원활하게 배기시킬 수 있도록 구현된다. 상기 가스유로(65)는 상기 외곽단턱부(64)를 관통하여 형성될 수 있다. 상기 외곽단턱부(64)에는 상기 가스유로(65)가 복수개 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 가스유로(65)들은 서로 이격된 위치에 배치될 수 있다.
[65]
상기 가스유로(65)는 상기 동심원(CC, 도 5에 도시됨)에 대해 바깥쪽에 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리장치(1)는 처리가스가 상기 가스유로(65)를 통해 상기 디스크(5)의 중심(5a, 도 5에 도시됨) 쪽으로 유동하지 않고, 상기 디스크(5)의 외측으로 유동하도록 구현될 수 있다.
[66]
상기 기판안치부(6)들은 각각 에지홈(66, 도 12에 도시됨)을 포함할 수 있다.
[67]
상기 에지홈(66)은 상기 중앙부(66)에 형성될 수 있다. 상기 에지홈(66)은 상기 중앙부(66) 및 상기 외곽단턱부(64)의 경계선을 따라 형성될 수 있다. 상기 에지홈(66)은 처리가스를 수용할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리장치(1)는 상기 에지홈(66)을 통해 상기 중앙부(66)에 지지된 기판(S)의 외곽부분에서 처리가스가 머물도록 구현됨으로써, 기판(S)의 외곽부분에 대한 처리공정의 효율을 높일 수 있다. 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리장치(1)가 증착공정을 수행하는 경우, 상기 기판(S)의 외곽부분에 증착되는 박막의 두께를 더 두껍게 할 수 있다. 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리장치(1)가 식각공정을 수행하는 경우, 상기 기판(S)의 외곽부분에 위치한 박막에 대한 식각률을 더 높일 수 있다. 상기 에지홈(66)은 원형의 고리 형태로 형성될 수 있다.
[68]
상기 중앙부(66)에서 상기 에지홈(66)이 형성된 바닥면의 높이는, 상기 디스크(5)의 상면(51)의 높이와 동일하게 구현될 수 있다. 상기 중앙부(66)에서 상기 에지홈(66)이 형성된 바닥면의 높이는, 상기 디스크(5)의 상면(51)의 높이에 비해 더 낮게 구현될 수도 있다. 이 경우, 상기 에지홈(66)에 수용되는 처리가스의 유량을 늘릴 수 있으므로, 기판(S)의 외곽부분에 대한 처리공정의 효율을 더 높일 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리장치(1)는 상기 에지홈(66)의 깊이에 따라 기판(S)의 외곽부분에 대한 처리공정의 효율이 조절되도록 구현될 수 있다.
[69]
상기 디스크(5)에는 그루브(54)가 형성될 수 있다. 상기 그루브(54)는 상기 디스크(5)의 상면(51)에 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리장치(1)는 상기 그루브(54)를 통해 상기 배기공간(ES)의 크기를 더 증대시킬 수 있으므로, 처리가스를 더 원활하게 배출시킬 수 있다. 상기 그루브(54)는 상기 디스크(5)의 상면(51)에 일정 깊이로 홈을 가공함으로써 형성될 수 있다. 상기 그루브(54)는 상기 디스크(5)의 상면(51)에서 상기 기판안치부(6)들의 외측에 배치될 수 있다. 상기 기판안치부(6)들은 상기 그루브(54)의 내측에 위치하도록 배치될 수 있다. 상기 그루브(54)는 원형의 고리 형태로 형성될 수 있다.
[70]
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

청구범위

[청구항 1]
기판처리장치의 기판안치수단으로서, 디스크; 및 상기 디스크의 중심에서 방사상으로 배치되며, 기판이 각각 안치되는 복수개의 기판안치부를 포함하고, 상기 기판안치부의 상면은 상기 디스크의 상면보다 상측으로 더 돌출된 것을 특징으로 하는 기판안치수단.
[청구항 2]
제1항에 있어서, 상기 기판안치부의 상면과 상기 디스크의 상면의 높이 차이는 3 mm 초과 30 mm 미만인 것을 특징으로 하는 기판안치수단.
[청구항 3]
제1항에 있어서, 상기 기판안치부는 상기 디스크로부터 분리 가능한 것을 특징으로 하는 기판안치수단.
[청구항 4]
제1항에 있어서, 상기 디스크의 중심에서 방사상으로 배치되는 복수개의 삽입부를 포함하고, 상기 복수개의 삽입부 중 하나는 상기 복수개의 기판안치부 중 하나와 연결되거나 분리 가능한 것을 특징으로 하는 기판안치수단.
[청구항 5]
제1항에 있어서, 상기 디스크의 중심에서 방사상으로 배치되는 복수개의 삽입부를 포함하고, 상기 복수개의 삽입부 각각에는 상기 복수개의 기판안치부 중 하나가 배정되되, 상기 기판안치부의 일부가 삽입되는 것을 특징으로 하는 기판안치수단.
[청구항 6]
제1항에 있어서, 상기 복수개의 기판안치부의 중심은 상기 디스크의 중심에서 동심원상에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판안치수단.
[청구항 7]
제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 복수개의 삽입부 각각은 상기 디스크의 상면에서 제1내경을 갖고, 상기 디스크의 하면에서 제2내경을 가지며, 상기 제1내경은 상기 제2내경보다 큰 것을 특징으로 하는 기판안치수단.
[청구항 8]
제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 디스크는 상기 기판안치부를 지지하는 복수개의 지지면을 포함하고, 상기 복수개의 지지면 중 적어도 하나는 상기 디스크의 상면을 기준으로 경사진 것을 특징으로 하는 기판안치수단.
[청구항 9]
제3항에 있어서, 상기 디스크는 상기 기판안치부를 지지하는 지지면을 포함하고, 상기 기판안치부는 상기 지지면에 접촉되기 위한 경사면을 포함하며, 상기 지지면과 상기 경사면 중 적어도 하나는 상기 디스크의 상면을 기준으로 경사진 것을 특징으로 하는 기판안치수단.
[청구항 10]
제3항에 있어서, 상기 기판안치부가 상기 디스크에 대해서 소정의 방향으로 결합되도록 하기 위한 정렬부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판안치수단.
[청구항 11]
제1항에 있어서, 상기 디스크는 상기 복수개의 기판안치부 각각이 삽입되기 위한 복수개의 삽입부, 및 상기 복수개의 삽입부 각각의 외측에 형성된 복수개의 정렬홈을 포함하고, 상기 복수개의 기판안치부 각각은 하면으로부터 돌출된 복수개의 정렬돌기를 포함하되, 상기 정렬돌기들이 상기 정렬홈들에 삽입됨에 따라 상기 디스크에 분리 가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 기판안치수단.
[청구항 12]
제11항에 있어서, 상기 복수개의 기판안치부 각각에는 N개(N은 1보다 큰 정수)의 정렬돌기가 형성되고, 상기 디스크에는 상기 복수개의 삽입부 각각의 외측에 N개 또는 2N개의 정렬홈이 형성되며, 상기 정렬돌기들은 상기 복수개의 기판안치부 각각의 중심을 기준으로 동일한 각도로 이격되도록 배치되되, 상기 복수개의 기판안치부 각각의 중심을 기준으로 회전한 각도에 따라 서로 다른 정렬홈들에 삽입되는 것을 특징으로 하는 기판안치수단.
[청구항 13]
제1항에 있어서, 상기 복수개의 기판안치부 각각은 하면으로부터 하측으로 돌출된 센터링부재를 포함하고, 상기 센터링부재들은 각각 하측으로 돌출될수록 직경이 감소되게 형성되며, 상기 디스크는 상기 센터링부재들 각각이 삽입되기 위한 복수개의 삽입부, 및 상기 삽입부들 각각에 삽입된 센터링부재들을 지지하는 복수개의 지지면을 포함하고, 상기 지지면들은 각각 하측으로 연장될수록 직경이 감소하도록 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 기판안치수단.
[청구항 14]
제1항에 있어서, 상기 기판안치부는 기판의 하면을 지지하는 중앙부, 및 기판의 측면을 지지하는 외곽단턱부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판안치수단.
[청구항 15]
제14항에 있어서, 상기 외곽단턱부에는 적어도 하나의 가스유로가 형성되고, 상기 가스유로는 상기 외곽단턱부의 내측 및 상기 디스크의 상면 각각과 연통하는 것을 특징으로 하는 기판안치수단.
[청구항 16]
제15항에 있어서, 상기 복수개의 기판안치부의 중심은 상기 디스크의 중심에서 동심원상에 배치되고, 상기 가스유로는 상기 동심원에 대해 바깥쪽에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판안치수단.
[청구항 17]
챔버; 상기 챔버 내에 처리가스를 공급하는 가스분사부; 및 복수개의 기판이 안치되는 기판안치수단을 포함하고, 상기 기판안치수단은 디스크, 및 상기 디스크의 중심에서 방사상으로 배치되는 복수개의 기판안치부를 포함하며, 상기 기판안치부의 상면은 상기 디스크의 상면보다 상측으로 더 돌출된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
[청구항 18]
제17항에 있어서, 상기 디스크는 상기 복수개의 기판안치부 각각이 삽입되기 위한 복수개의 삽입부, 및 상기 복수개의 삽입부 각각의 외측에 형성된 복수개의 정렬홈을 포함하고, 상기 복수개의 기판안치부 각각은 하면으로부터 돌출된 복수개의 정렬돌기를 포함하되, 상기 정렬돌기들이 상기 정렬홈들에 삽입됨에 따라 상기 디스크에 분리 가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
[청구항 19]
제18항에 있어서, 상기 복수개의 기판안치부 각각에는 N개(N은 1보다 큰 정수)의 정렬돌기가 형성되고, 상기 디스크에는 상기 복수개의 삽입부 각각의 외측에 N개 또는 2N개의 정렬홈이 형성되며, 상기 정렬돌기들은 상기 복수개의 기판안치부 각각의 중심을 기준으로 동일한 각도로 이격되도록 배치되되, 상기 복수개의 기판안치부 각각의 중심을 기준으로 회전한 각도에 따라 서로 다른 정렬홈들에 삽입되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
[청구항 20]
제17항에 있어서, 상기 복수개의 기판안치부 각각은 하면으로부터 하측으로 돌출된 센터링부재를 포함하고, 상기 센터링부재들은 하측으로 돌출될수록 크기가 감소되게 형성되며, 상기 디스크는 상기 센터링부재들 각각이 삽입되기 위한 복수개의 삽입부, 및 상기 삽입부들 각각에 삽입된 센터링부재들을 지지하는 복수개의 지지면을 포함하고, 상기 지지면들은 각각 하측으로 연장될수록 직경이 감소하도록 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.

도면

[도1]

[도2]

[도3]

[도4]

[도5]

[도6]

[도7]

[도8]

[도9]

[도10]

[도11]

[도12]