بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2019043865) SUSCEPTOR, EPITAXIAL GROWTH DEVICE, EPITAXIAL SILICON WAFER MANUFACTURING METHOD, AND EPITAXIAL SILICON WAFER
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2019/043865 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2017/031343
تاريخ النشر: 07.03.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 31.08.2017
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/458 (2006.01) ,C30B 25/12 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634, JP
المخترعون:
楢原 和宏 NARAHARA Kazuhiro; JP
الوكيل:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
بيانات الأولوية:
العنوان (EN) SUSCEPTOR, EPITAXIAL GROWTH DEVICE, EPITAXIAL SILICON WAFER MANUFACTURING METHOD, AND EPITAXIAL SILICON WAFER
(FR) SUSCEPTEUR, DISPOSITIF DE CROISSANCE ÉPITAXIALE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIALE, ET TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIALE
(JA) サセプタ、エピタキシャル成長装置、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、ならびにエピタキシャルシリコンウェーハ
الملخص:
(EN) Provided is a susceptor with which it is possible to increase the circumferential uniformity of the flatness of an epitaxial layer of an epitaxial silicon wafer. A susceptor 100 according to the present invention has a recessed counterbore portion for placing a silicon wafer W, wherein a radial distance L between the center of the susceptor and an opening edge of the counterbore portion varies in the circumferential direction with a period of 90. If the angle of the position at which the radial distance L is a minimum is defined as 0°, the radial distance L has a minimum value L1 at 90°, 180°, and 270°, and the radial distance L has a maximum value L2 at 45°, 135°, 225°, and 315°. The susceptor 100, as viewed from above, has an opening edge 110C defining four elliptic arcs protruding radially outward.
(FR) L'invention concerne un suscepteur avec lequel il est possible d'augmenter l'uniformité circonférentielle de la planéité d'une couche épitaxiale d'une tranche de silicium épitaxiale. Un suscepteur 100 selon la présente invention comprend une partie de lamage en creux pour placer une tranche de silicium W, une distance radiale L entre le centre du suscepteur et un bord d'ouverture de la partie de lamage variant dans la direction circonférentielle selon une période de 90. Si l'angle de la position à laquelle la distance radiale L est un minimum est défini comme 0°, la distance radiale L a une valeur minimale L1 à 90°, 180°, et 270°, et la distance radiale L a une valeur maximale L2 à 45°, 135°, 225° et 315°. Le suscepteur 100, vu de dessus, possède un bord d'ouverture 110C définissant quatre arcs elliptiques faisant saillie radialement vers l'extérieur.
(JA) エピタキシャルシリコンウェーハのエピタキシャル層の平坦度の周方向均一性を高めることのできるサセプタを提供する。 本発明によるサセプタ100は、シリコンウェーハWが載置される凹形状の座ぐり部が設けられ、サセプタの中心と座ぐり部の開口縁との間の径方向距離Lが90度周期で周方向に変動するとともに、径方向距離Lが最小となる位置の角度を0度としたときに、90度、180度、270度のそれぞれで径方向距離Lが最小値Lとなると共に、45度、135度、225度、315度のそれぞれで径方向距離Lが最大値Lとなり、サセプタ100を上面視したときの開口縁110Cが、径方向外側を凸とする4つの楕円弧を描く。
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)