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1. (WO2019042894) SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR BODY
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رقم النشر: WO/2019/042894 رقم الطلب الدولي: PCT/EP2018/072906
تاريخ النشر: 07.03.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 24.08.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/06 (2010.01) ,H01L 33/14 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 33/02 (2010.01) ,H01L 33/04 (2010.01)
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المودعون:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
المخترعون:
DRAGO, Massimo; DE
FREY, Alexander; DE
HERTKORN, Joachim; DE
KOSLOW, Ingrid; DE
الوكيل:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
بيانات الأولوية:
10 2017 120 302.804.09.2017DE
العنوان (EN) SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR BODY
(FR) CORPS SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN CORPS SEMI-CONDUCTEUR
(DE) HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS
الملخص:
(EN) The invention relates to a semiconductor body (10) based on a nitride compound semiconductor material, having a p-conducting region (100), in which the p-conductive region (100) has a barrier zone (110) and a contact zone (120). The barrier zone (110) has a first magnesium concentration (M110) and a first aluminum concentration (A110), and the contact zone (120) has a second magnesium concentration (M120) and a second aluminum concentration (A120). The first aluminum concentration (A110) is greater than the second aluminum concentration (A120), and the first magnesium concentration (M110) is smaller than the second magnesium concentration (M120). The contact zone (120) forms an outwardly exposed surface (10a) of the semiconductor body (10), and the barrier zone (110) adjoins the contact zone (120).
(FR) L’invention concerne un corps semi-conducteur (10) à base d’un matériau semi-conducteur composé de nitrure pourvu d’une zone conductrice de type p (100), tel que - la zone conductrice de type p (100) comporte une zone de barrière (110) et une zone de contact (120), - la zone de barrière (110) présentant une première concentration en magnésium (M110) et une première concentration en aluminium (A110), - la zone de contact (120) présentant une deuxième concentration en magnésium (M120) et une deuxième concentration en aluminium (A120), - la première concentration en aluminium (A110) étant supérieure à la deuxième concentration en aluminium (A120), - la première concentration en magnésium (M110) étant inférieure à la deuxième concentration en magnésium (M120), - la zone de contact (120) constituant une surface libre vers l’extérieur (10a) du corps semi-conducteur (10), et - la zone de barrière (110) étant adjacente à la zone de contact (120).
(DE) Halbleiterkörper (10) basierend auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial mit einem p-leitenden Bereich (100), bei dem - der p-leitende Bereich (100) eine Barrierezone (110) und eine Kontaktzone (120) aufweist, wobei - die Barrierezone (110) eine erste Magnesiumkonzentration (M110) und eine erste Aluminiumkonzentration (A110) aufweist, - die Kontaktzone (120) eine zweite Magnesiumkonzentration (M120) und eine zweite Aluminiumkonzentration (A120) aufweist, - die erste Aluminiumkonzentration (A110) größer als die zweite Aluminiumkonzentration (A120) ist, - die erste Magnesiumkonzentration (M110) kleiner als die zweite Magnesiumkonzentration (M120) ist, - die Kontaktzone (120) eine nach außen freiliegende Fläche (10a) des Halbleiterkörpers (10) bildet, und - die Barrierezone (110) an die Kontaktzone (120) angrenzt.
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