بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2019034737) PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدوليتقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2019/034737 رقم الطلب الدولي: PCT/EP2018/072239
تاريخ النشر: 21.02.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 16.08.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/52 (2010.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
المخترعون:
TANGRING, Ivar; DE
BELLYNCK, Gregory; DE
الوكيل:
PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK; Prinzenstr. 13 80639 München, DE
بيانات الأولوية:
10 2017 118 915.718.08.2017DE
العنوان (DE) HERSTELLUNG EINER HALBLEITERVORRICHTUNG
(EN) PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) FABRICATION D’UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
الملخص:
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Trägers mit einem auf dem Träger angeordneten Halb- leiterbauelement, und ein Bereitstellen einer an das Halbleiterbauelement angrenzenden Schichtanordnung auf dem Träger, welche eine erste und eine zweite fließfähige Schichtaufweist. Die erste Schichtwird auf dem Träger ausgebildet. Nachfolgend wird die zweite Schichtauf der ersten Schicht ausgebildet. Die erste Schichtweist Partikel auf. Eine Dichte der ersten Schichtist größer als eine Dichte der zweiten Schicht. Es tritt eine seitliche Benetzung des Halbleiterbauelements mit der ersten Schichtauf, so dass die erste Schichteine erste Ausgestaltung mit einer gekrümmten Schichtoberfläche seitlich des Halbleiterbauelements aufweist. Das Verfahren umfasst ferner ein Zentrifugieren des mit dem Halbleiterbauelement und der Schichtanordnung versehenen Trägers, so dass die Krümmung der Schichtoberfläche der ersten Schichtseitlich des Halbleiterbauelements wenigstens verringert wird und die erste Schichtdadurch eine zweite Ausgestaltung aufweist. Mit Hilfe der auf der ersten Schicht angeordneten zweiten Schichtwird unterdrückt, dass die erste Schichtwieder die erste Ausgestaltung einnimmt. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Halbleitervorrichtung.
(EN) The invention relates to a method for producing a semiconductor device. The method comprises the steps of providing a carrier having a semiconductor component arranged on the carrier and of providing a layer arrangement on the carrier, adjoining the semiconductor component, which has a first and a second flowable layer. The first layer is formed on the carrier. The second layer is then formed on the first layer. The first layer has particles. The density of the first layer is greater than the density of the second layer. A lateral wetting of the semiconductor component occurs together with the first layer, such that the first layer has a first embodiment having a curved layer surface to the side of the semiconductor component. The method furthermore comprises a centrifuging of the carrier provided with the semiconductor component and the layer arrangement, such that the curvature of the layer surface of the first layer to the side of the semiconductor component is at least reduced and the first layer has a second embodiment as a result. By means of the second layer being arranged on the first layer, the first layer is prevented from returning to the first embodiment. The invention furthermore relates to a semiconductor device.
(FR) L’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif à semi-conducteur. Le procédé consiste à préparer un support muni d’un composant semi-conducteur agencé sur le support, et à préparer sur le support un agencement de couches adjacent au composant semi-conducteur et présentant une première et une seconde couche fluide. La première couche est réalisée sur le support. La seconde couche est ensuite réalisée sur la première couche. La première couche présente des particules. L’épaisseur de la première couche est supérieure à l’épaisseur de la seconde couche. Il se produit une imprégnation latérale du composant semi-conducteur par la première couche, de sorte que la première couche présente une première structure présentant une surface de couche courbe à côté du composant semi-conducteur. Le procédé consiste par ailleurs à centrifuger le support muni du composant semi-conducteur et de l’agencement de couches, de sorte que la courbure de la surface de couche de la première couche est au moins réduite à côté du composant semi-conducteur, et que la première couche présente de ce fait une seconde structure. La seconde couche agencée sur la première couche permet d'empêcher la première couche d’occuper à nouveau la première structure. L’invention concerne par ailleurs un dispositif à semi-conducteur.
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (الأريبو) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
المكتب الأوروبي الآسيوي للبراءات (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ألماني (DE)
لغة الإيداع: ألماني (DE)