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1. (WO2019027604) FIELD EFFECT SENSORS
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رقم النشر: WO/2019/027604 رقم الطلب الدولي: PCT/US2018/040439
تاريخ النشر: 07.02.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 29.06.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
G01N 27/414 (2006.01) ,G01N 33/543 (2006.01) ,B82Y 15/00 (2011.01) ,B82Y 40/00 (2011.01)
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المودعون:
ILLUMINA, INC. [US/US]; 5200 Illumina Way San Diego, California 92122, US
المخترعون:
BOYANOV, Boyan; US
الوكيل:
DIERKER, Julia Church; US
KAVANAUGH, Juliet R.; US
بيانات الأولوية:
62/539,81301.08.2017US
العنوان (EN) FIELD EFFECT SENSORS
(FR) CAPTEURS À EFFET DE CHAMP
الملخص:
(EN) Apparatus and methods are disclosed for single molecule field effect sensors having conductive channels functionalized with a single active moiety. A region of a nanostructure (e.g., such as a silicon nanowire or a carbon nanotube) provide the conductive channel. Trapped state density of the nanostructure is modified for a portion of the nanostructure in proximity with a location where the active moiety is linked to the nanostructure. In one example, the semiconductor device includes a source, a drain, a channel including a nanostructure having a modified portion with an increased trap state density, the modified portion being further functionalized with an active moiety. A gate terminal is in electrical communication with the nanostructure. As a varying electrical signal is applied to an ionic solution in contact with the nanostructure channel, changes in current observed from the semiconductor device can be used to identify composition of the analyte.
(FR) L'invention concerne un appareil et des procédés pour des capteurs à effet de champ à une seule molécule ayant des canaux conducteurs fonctionnalisés avec une seule fraction active. Une région d'une nanostructure (par exemple, telle qu'un nanofil de silicium ou un nanotube de carbone) forme le canal conducteur. La densité d'états piégés de la nanostructure est modifiée sur une partie de la nanostructure à proximité d'un site où la fraction active est liée à la nanostructure. Dans un exemple, le dispositif semiconducteur comprend une source, un drain, un canal comprenant une nanostructure ayant une partie modifiée avec une densité d'états piégés accrue, la partie modifiée étant en outre fonctionnalisée avec une fraction active. Une borne de grille est en communication électrique avec la nanostructure. Lorsqu'un signal électrique variable est appliqué à une solution ionique en contact avec le canal à nanostructure, des changements de courant observés sur le dispositif semiconducteur peuvent être utilisés pour identifier la composition de l'analyte.
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لغة النشر: الإنكليزية (EN)
لغة الإيداع: الإنكليزية (EN)