بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2019026954) SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2019/026954 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2018/028842
تاريخ النشر: 07.02.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 01.08.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
C23C 14/34 (2006.01) ,C04B 35/01 (2006.01) ,C04B 35/453 (2006.01) ,H01L 21/363 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
出光興産株式会社 IDEMITSU KOSAN CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内三丁目1番1号 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321, JP
المخترعون:
大山 正嗣 OYAMA Masashi; JP
糸瀬 麻美 ITOSE Mami; JP
الوكيل:
特許業務法人樹之下知的財産事務所 KINOSHITA & ASSOCIATES; 東京都杉並区荻窪五丁目26番13号 3階 3rd Floor, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051, JP
بيانات الأولوية:
2017-14939801.08.2017JP
العنوان (EN) SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION, COUCHE MINCE SEMI-CONDUCTRICE À OXYDE, TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタおよび電子機器
الملخص:
(EN) A sputtering target provided with an oxide sintered compact including a spinel structure compound containing indium element (In), tin element (Sn), zinc element (Zn), an element X, and oxygen, the atomic ratios of the elements satisfying formula (1), and the spinel structure compound furthermore being represented by the formula Zn2SnO4. (1): 0.001 ≤ X/(In + Sn + Zn + X) ≤ 0.05. (In formula (1), In, Zn, Sn, and X represent the amounts of indium element, zinc element, tin element, and element X, respectively, contained in the oxide sintered compact. Element X is at least one species selected from Ge, Si, Y, Zr, Al, Mg, Yb, and Ga.)
(FR) L'invention concerne une cible de pulvérisation pourvue d'un compact fritté d'oxyde comprenant un composé à structure de spinelle contenant un élément indium (In), un élément étain (Sn), un élément zinc (Zn), un élément X et de l'oxygène, les rapports atomiques des éléments satisfaisant la formule (1), et le composé de structure de spinelle étant en outre représenté par la formule Zn2SnO4. (1) : 0,001 ≤ X/ (In + Sn + Zn + X) ≤ 0,05. (Dans la formule (1), In, Zn, Sn et X représentent les quantités respectives d'élément indium, d'élément zinc, d'élément étain et d'élément X contenus dans le compact fritté d'oxyde. L'élément X est au moins une espèce choisie parmi Ge, Si, Y, Zr, Al, Mg, Yb et Ga).
(JA) インジウム元素(In)、スズ元素(Sn)、亜鉛元素(Zn)、X元素、および酸素を含有し、各元素の原子比が下記式(1)を満たし、さらにZn2SnO4で表されるスピネル構造化合物を含む、酸化物焼結体を備える、スパッタリングターゲット。 0.001≦X/(In+Sn+Zn+X)≦0.05 ・・・(1) (式(1)中、In、Zn、SnおよびXは、それぞれ酸化物焼結体中のインジウム元素、亜鉛元素、スズ元素およびX元素の含有量を表す。X元素は、Ge、Si、Y、Zr、Al、Mg、Yb、およびGaから少なくとも1種以上が選択される。)
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)