بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2019026851) SEMICONDUCTOR DEVICE
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2019/026851 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2018/028481
تاريخ النشر: 07.02.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 30.07.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 21/331 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 29/737 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
المخترعون:
黒川 敦 KUROKAWA Atsushi; JP
الوكيل:
木村 満 KIMURA Mitsuru; JP
بيانات الأولوية:
2017-14944801.08.2017JP
العنوان (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
الملخص:
(EN) This semiconductor device (100) is provided with: an HBT; emitter wiring (14) which is connected to an emitter electrode (6) of the HBT and covers the HBT; a passivation film (15) having an opening (13) on the HBT when viewed from the top; a UBM layer (17) which is connected to the emitter wiring (14) through the opening (13) and formed from a refractory metal to have a thickness of 300 nm or more; and a pillar bump (20) which is disposed on the UBM layer (17) and has a metal post (18) and a solder layer (19). The UBM layer (17) functions as a stress relaxation layer, thereby relaxing the stress on the HBT caused by the difference in thermal expansion coefficient between a GaAs-based material of each layer constituting the HBT and the pillar bump (20).
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur (100) qui comprend : un transistor bipolaire à hétérojonction (HBT pour Heterojunction Bipolar Transistor) ; un câblage d'émetteur (14) qui est raccordé à une électrode d'émetteur (6) du transistor HBT et recouvre le transistor HBT ; un film de passivation (15) ayant une ouverture (13) sur le transistor HBT lorsqu'il est vu depuis le dessus ; une couche de métal sous bosse (UBM pour Under Bump Metal) (17) qui est raccordée au câblage d'émetteur (14) à travers l'ouverture (13) et formée à partir d'un métal réfractaire pour avoir une épaisseur égale ou supérieure à 300 nm ; et une bosse de pilier (20) qui est disposée sur la couche de métal UBM (17) et comporte un montant métallique (18) et une couche de brasure (19). La couche de métal UBM (17) fait office de couche de relaxation de contrainte, ce qui permet de relâcher la contrainte sur le transistor HBT provoquée par la différence de coefficient de dilatation thermique entre un matériau à base de GaAs de chaque couche constituant le transistor HBT et la bosse de pilier (20).
(JA) 半導体装置(100)は、HBTと、HBTのエミッタ電極(6)に接続され、HBTを覆うエミッタ配線(14)と、平面視でHBT上に開口(13)を備えるパッシベーション膜(15)と、開口(13)を介してエミッタ配線(14)に接続され、高融点金属から厚さ300nm以上に形成されたUBM層(17)と、UBM層(17)上に配置され、メタルポスト(18)とハンダ層(19)とを備えるピラーバンプ(20)と、から構成される。UBM層(17)が応力緩和層として機能し、HBTを構成する各層のGaAs系の材料とピラーバンプ(20)との熱膨張率の差よるHBTへの応力が緩和される。
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)