بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2019026606) IMAGING DEVICE
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2019/026606 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2018/026711
تاريخ النشر: 07.02.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 17.07.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H04N 5/369 (2011.01) ,G01S 7/481 (2006.01) ,G01S 17/89 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
スタンレー電気株式会社 STANLEY ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 東京都目黒区中目黒2丁目9番13号 2-9-13, Nakameguro, Meguro-ku, Tokyo 1538636, JP
المخترعون:
中澤 克紀 NAKAZAWA, Katsunori; JP
後藤 浩成 GOTO, Hiroshige; JP
الوكيل:
特許業務法人創成国際特許事務所 SATO & ASSOCIATES; 東京都新宿区西新宿6-24-1 西新宿三井ビルディング 18階 Nishi-Shinjuku Mitsui Building 18F, 24-1, Nishi-Shinjuku 6-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600023, JP
بيانات الأولوية:
2017-14940201.08.2017JP
العنوان (EN) IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 撮像装置
الملخص:
(EN) An imaging element 400 comprises a p-epi 112, a surface-side n-type semiconductor region 117 separated from an adjacent PD by a channel stopper 115, and a surface-side p+ region 123. Voltages different from each other are applied to the channel stopper 115 or the p+ region 123 and the p-epi 112. The voltages generate an accelerating electric field that accelerates electrons generated in the p-epi 112 by a photoelectric effect to the n-type semiconductor region 11.
(FR) L'invention concerne un élément d'imagerie (400) comprenant une épitaxie P- (112), une région en semi-conducteur de type N (117) côté surface séparée d'un PD adjacent par un dispositif d'arrêt de canal (115), et une région P+ (123) côté surface. Des tensions mutuellement différentes sont appliquées au dispositif d'arrêt de canal (115) ou à la région P+ (123) et à l'épitaxie P- (112). Les tensions génèrent un champ électrique d'accélération qui accélère les électrons générés dans l'épitaxie P- (112) par un effet photoélectrique sur la région en semi-conducteur de type N (117).
(JA) 撮像素子400は、p-epi112と、チャンネルストッパ115により隣接のPDから分離された表面側のn型半導体領域117と、さらに表面側のp+領域123とを有する。チャンネルストッパ115又はp+領域123とp-epi112とに相互に異なる電圧が印加される。該電圧は、光電効果によりp-epi112に生成される電子をn型半導体領域11に加速する加速電界を生成する。
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)