بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2019026337) POWER CONVERSION DEVICE, POWER CONVERSION SEMICONDUCTOR ELEMENT MODULE, AND POWER CONVERSION METHOD
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2019/026337 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2018/012492
تاريخ النشر: 07.02.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 27.03.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H02M 7/48 (2007.01)
Description not available in lang ar
المودعون:
株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP
المخترعون:
塚本 乾 TSUKAMOTO, Ken; JP
漆原 法美 URUSHIWARA, Noriyoshi; JP
河野 恭彦 KOUNO, Yasuhiko; JP
堀内 敬介 HORIUCHI, Keisuke; JP
الوكيل:
特許業務法人サンネクスト国際特許事務所 SUNNEXT INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都品川区東品川二丁目3番12号 シーフォ-トスクエア センタ-ビルディング16階 Seafort Square Center Building, 16F, 2-3-12, Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo 1400002, JP
بيانات الأولوية:
2017-15114703.08.2017JP
العنوان (EN) POWER CONVERSION DEVICE, POWER CONVERSION SEMICONDUCTOR ELEMENT MODULE, AND POWER CONVERSION METHOD
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION DE COURANT, MODULE D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS DE CONVERSION DE COURANT, ET PROCÉDÉ DE CONVERSION DE COURANT
(JA) 電力変換装置、電力変換用半導体素子モジュール及び電力変換方法
الملخص:
(EN) Provided is a power conversion device provided with: semiconductor switching elements on the P-side and N-side for each performing switching control in accordance with a mode of energizing a P-terminal and an N-terminal; diodes each connected in parallel with each of the semiconductor switching elements on the P-side and N-side; a smoothing capacitor connected in parallel with the combination of each of the semiconductor switching elements on the P-side and each of the semiconductor switching elements on the N-side connected in series; and a package housing the respective semiconductor switching elements on the P-side and N-side, each of the diodes, and the smoothing capacitor.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de conversion de courant comprenant : des éléments de commutation à semi-conducteurs sur le côté P et le côté N pour chaque commande de commutation en fonction d'un mode d'excitation d'une borne P et d'une borne N ; des diodes connectées chacune en parallèle avec chacun des éléments de commutation à semi-conducteurs sur le côté P et le côté N ; un condensateur de lissage connecté en parallèle à la combinaison de chacun des éléments de commutation à semi-conducteurs sur le côté P et chacun des éléments de commutation à semi-conducteurs sur le côté N connectés en série ; et un boîtier recevant les éléments de commutation à semi-conducteurs respectifs sur le côté P et le côté N, chacune des diodes et le condensateur de lissage.
(JA) P端子及びN端子への通電態様に応じてスイッチング制御を行うP側及びN側各半導体スイッチング素子と、これらP側及びN側各半導体スイッチング素子に対してそれぞれ並列に接続された各ダイオードと、直列に接続された前記P側各半導体スイッチング素子及びN側各半導体スイッチング素子の組み合わせに対して並列に接続された平滑コンデンサと、P側及びN側各半導体スイッチング素子、各ダイオード及び平滑コンデンサを内蔵するパッケージと、を備える。
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)