بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2019025911) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2019/025911 رقم الطلب الدولي: PCT/IB2018/055578
تاريخ النشر: 07.02.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 26.07.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/283 (2006.01) ,H01L 21/8242 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 27/1156 (2017.01) ,H01L 29/417 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 29/788 (2006.01) ,H01L 29/792 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar[IPC code unknown for H01L 27/1156]Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
المخترعون:
山崎舜平 YAMAZAKI, Shunpei; JP
松林大介 MATSUBAYASHI, Daisuke; JP
浅見良信 ASAMI, Yoshinobu; JP
بيانات الأولوية:
2017-15144604.08.2017JP
2018-02772120.02.2018JP
العنوان (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、および半導体装置の作製方法
الملخص:
(EN) Provided is a semiconductor device which can be made fine or highly integrated. The semiconductor device comprises: an oxide; a first conductor and a second conductor disposed at a distance from each other and on the oxide; a first insulator that is disposed on the first conductor and the second conductor, and that has an opening formed superimposed between the first conductor and the second conductor; a third conductor disposed in the opening; and a second insulator disposed between the third conductor and the oxide, the first conductor, the second conductor and the first insulator. The second insulator has a first film thickness between the oxide and the third conductor, and has a second film thickness between the third conductor and the first conductor or second conductor, the first film thickness being thinner than the second film thickness.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui peut être rendu fin ou hautement intégré. Le dispositif à semi-conducteur comprend : un oxyde ; un premier conducteur et un second conducteur disposés à une certaine distance les uns des autres et sur l'oxyde ; un premier isolant qui est disposé sur le premier conducteur et le second conducteur, et qui a une ouverture formée en superposition entre le premier conducteur et le second conducteur ; un troisième conducteur disposé dans l'ouverture ; et un second isolant disposé entre le troisième conducteur et l'oxyde, le premier conducteur, le second conducteur et le premier isolant. Le second isolant a une première épaisseur de film entre l'oxyde et le troisième conducteur, et a une seconde épaisseur de film entre le troisième conducteur et le premier conducteur ou le second conducteur, la première épaisseur de film étant plus mince que la seconde épaisseur de film.
(JA) 要約書 微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供する。 酸化物と、 酸化物上に、 互いに離して配置された第1の導電体、 および第2の導電体と、 第1の導電 体および第2の導電体上に配置され、第1の導電体と第2の導電体の間に重畳して開口が形成された 第1の絶縁体と、開口の中に配置された第3の導電体と、酸化物、第1の導電体、第2の導電体、お よび第1の絶縁体と、第3の導電体と、の間に配置された第2の絶縁体と、を有し、第2の絶縁体は、 酸化物と第3の導電体の間において、 第1の膜厚を有し、 第1の導電体または第2の導電体と第3の 導電体の間において、第2の膜厚を有し、第1の膜厚は、第2の膜厚より薄い。
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)