بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2019025896) THREE TERMINAL SPIN HALL MRAM
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2019/025896 رقم الطلب الدولي: PCT/IB2018/055419
تاريخ النشر: 07.02.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 20.07.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
G11C 11/16 (2006.01)
Description not available in lang ar
المودعون:
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504, US
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU, GB (MG)
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED [CN/CN]; 25/F, Pangu Plaza No.27, Central North 4th Ring Road, Chaoyang District, Beijing 100101, CN (MG)
المخترعون:
WORLEDGE, Daniel; US
DE BROSSE, John, Kenneth; US
SUN, Jonathan, Zanhong; US
الوكيل:
WILLIAMS, Julian; GB
بيانات الأولوية:
15/666,23601.08.2017US
العنوان (EN) THREE TERMINAL SPIN HALL MRAM
(FR) MRAM À EFFET HALL DE SPIN À TROIS TERMINAUX
الملخص:
(EN) Improved spin hall MRAM designs are provided that enable writing of all of the bits along a given word line together using a separate spin hall wire for each MTJ. In one aspect, a magnetic memory cell includes: a spin hall wire exclusive to the magnetic memory cell; an MTJ disposed on the spin hall wire, wherein the MTJ includes a fixed magnetic layer separated from a free magnetic layer by a tunnel barrier; and a pair of selection transistors connected to opposite ends of the spin hall wire. An MRAM device and method for operation thereof are also provided.
(FR) L'invention concerne des conceptions MRAM à effet Hall de spin améliorées qui permettent l'écriture de tous les bits le long d'une ligne de mots donnée conjointement à l'aide d'un fil à effet Hall de spin séparé pour chaque MTJ. Selon un aspect, une cellule de mémoire magnétique comprend : un fil à effet Hall de spin exclusif à la cellule de mémoire magnétique ; une MTJ disposée sur le fil à effet Hall de spin, la MTJ comprenant une couche magnétique fixe séparée d'une couche magnétique libre par une barrière tunnel ; et une paire de transistors de sélection connectés aux extrémités opposées du fil à effet Hall de spin. L'invention concerne également un dispositif MRAM et son procédé de fonctionnement.
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: الإنكليزية (EN)
لغة الإيداع: الإنكليزية (EN)