بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2019012797) SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND PROGRAM
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2019/012797 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2018/018354
تاريخ النشر: 17.01.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 11.05.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 21/316 (2006.01) ,C23C 16/42 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
المخترعون:
佐野 敦 SANO Atsushi; JP
中谷 公彦 NAKATANI Kimihiko; JP
松岡 樹 MATSUOKA Tatsuru; JP
亀田 賢治 KAMEDA Kenji; JP
島本 聡 SHIMAMOTO Satoshi; JP
الوكيل:
福岡 昌浩 FUKUOKA Masahiro; JP
阿仁屋 節雄 ANIYA Setuo; JP
بيانات الأولوية:
2017-13709913.07.2017JP
العنوان (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
الملخص:
(EN) In this invention, a film containing silicon, oxygen, carbon, and nitrogen is formed on a substrate by performing the following cycle of steps a predetermined number of times: the step of forming a first layer containing silicon, carbon, and nitrogen by performing a predetermined number of times a set of steps including the step of supplying a first raw material containing at least two Si-N bonds and at least one Si-C bond within one molecule to a substrate and the step of supplying a second raw material containing nitrogen and hydrogen to the substrate; and the step of forming a second layer by supplying an oxidant to the substrate to oxidize the first layer.
(FR) Selon la présente invention, un film contenant du silicium, de l'oxygène, du carbone et de l'azote est formé sur un substrat en effectuant le cycle suivant d'étapes un nombre prédéterminé de fois : l'étape de formation d'une première couche contenant du silicium, du carbone et de l'azote en effectuant un nombre prédéterminé de fois un ensemble d'étapes comprenant l'étape consistant à fournir une première matière première contenant au moins deux liaisons Si-N et au moins une liaison Si-C à l'intérieur d'une molécule à un substrat et l'étape consistant à fournir une seconde matière première contenant de l'azote et de l'hydrogène au substrat ; et l'étape de formation d'une seconde couche par fourniture d'un oxydant au substrat pour oxyder la première couche.
(JA) 基板に対して1分子中に少なくとも2つのSi-N結合と少なくとも1つのSi-C結合とを含む第1原料を供給する工程と、基板に対して窒素および水素を含む第2原料を供給する工程と、を含むセットを所定回数行うことで、シリコン、炭素および窒素を含む第1層を形成する工程と、基板に対して酸化剤を供給することで、第1層を酸化させて第2層を形成する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に、シリコン、酸素、炭素および窒素を含む膜を形成する。
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)