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1. (WO2019007373) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND METHOD FOR FORMING A PROFILE OF A CAPACITOR THEREOF
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رقم النشر: WO/2019/007373 رقم الطلب الدولي: PCT/CN2018/094525
تاريخ النشر: 10.01.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 04.07.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 23/64 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01)
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المودعون:
CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. [CN/CN]; Room 630, Haiheng Building, No. 6, Cuiwei Road, Economic and Technological Development Zone, Hefei, Anhui 230000, CN
المخترعون:
ZHU, Rongfu; CN
الوكيل:
METIS IP (CHENGDU) LLC; (No. 846 South Tianfu Road) Tianfu Innovation Center Chengdu, Sichuan 610213, CN
بيانات الأولوية:
201710539203.104.07.2017CN
العنوان (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND METHOD FOR FORMING A PROFILE OF A CAPACITOR THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE MÉMORISATION À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN PROFIL DE SON CONDENSATEUR
الملخص:
(EN) The present disclosure provide a method for forming a capacitor profile on a semiconductor. The method may include: providing a semiconductor substrate; forming a dielectric layer on the semiconductor substrate; forming an ion reflecting mask layer on the dielectric layer; forming a plurality of patterned openings by etching through the ion reflecting mask layer to expose the dielectric layer; and forming a plurality of trenching capacitor profiles by etching through the dielectric layer from the plurality of patterned openings, respectively, to expose the semiconductor substrate, wherein each trenching capacitor profile includes a bowing profile formed at 75%-95% of a height of the trenching capacitor profile above the semiconductor substrate.
(FR) La présente invention concerne un procédé de formation d'un profil de condensateur sur un semi-conducteur. Le procédé peut consister à : utiliser un substrat semi-conducteur ; former une couche diélectrique sur le substrat semi-conducteur ; former une couche de masque de réflexion d'ions sur la couche diélectrique ; former une pluralité d'ouvertures ayant fait l'objet d'une formation de motifs par gravure à travers la couche de masque de réflexion d'ions de façon à exposer la couche diélectrique ; et former une pluralité de profils de condensateur de tranchée par gravure à travers la couche diélectrique en partant respectivement de la pluralité d'ouvertures ayant fait l'objet d'une formation de motifs, pour exposer le substrat semi-conducteur, chaque profil de condensateur de tranchée comprenant un profil arqué formé à 75 % à 95 % d'une hauteur du profil de condensateur de tranchée au-dessus du substrat semi-conducteur.
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الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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لغة الإيداع: الإنكليزية (EN)