بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2019005148) FLOATING GATE TRANSISTOR
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدوليتقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2019/005148 رقم الطلب الدولي: PCT/US2017/040476
تاريخ النشر: 03.01.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 30.06.2017
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 27/11 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054, US
المخترعون:
MORRIS, Daniel; US
AVCI, Uygar; US
YOUNG, Ian; US
الوكيل:
MUGHAL, Usman; US
بيانات الأولوية:
العنوان (EN) FLOATING GATE TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À GRILLE FLOTTANTE
الملخص:
(EN) Described is an apparatus which comprises: a first transistor coupled to a power supply node; a memory bit-cell; and a second transistor coupled to the memory bit-cell and the first transistor, wherein the second transistor comprises a gate which is independent of an ohmic contact and is controlled by charging or discharging a conductor which is at least partially around the gate.
(FR) L'invention concerne un appareil qui comprend : un premier transistor couplé à un nœud d'alimentation électrique; une cellule binaire de mémoire; et un second transistor couplé à la cellule binaire de mémoire et au premier transistor, le second transistor comprenant une grille qui est indépendante d'un contact ohmique et qui est commandée par charge ou décharge d'un conducteur qui est au moins partiellement autour de la grille.
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (الأريبو) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
المكتب الأوروبي الآسيوي للبراءات (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: الإنكليزية (EN)
لغة الإيداع: الإنكليزية (EN)