بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2019005087) SUPPRESSION OF CURRENT LEAKAGE IN N-TYPE FINFET DEVICES
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2019/005087 رقم الطلب الدولي: PCT/US2017/040156
تاريخ النشر: 03.01.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 30.06.2017
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 27/092 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
INTEL IP CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
المخترعون:
GILES, Luis Felipe; DE
RIESS, Philipp; DE
HODEL, Uwe; DE
MOLZER, Wolfgang; DE
BAUMGARTNER, Peter; DE
الوكيل:
HARTMANN, Natalya; US
بيانات الأولوية:
العنوان (EN) SUPPRESSION OF CURRENT LEAKAGE IN N-TYPE FINFET DEVICES
(FR) SUPPRESSION DE FUITE DE COURANT DANS DES DISPOSITIFS FINFET DE TYPE N
الملخص:
(EN) Disclosed herein are semiconductor layers with modified doping profiles for forming N-type (NMOS) FinFET structures, and related methods and devices. One exemplary semiconductor layer with a modified doping profile includes a plurality of regions with different dopant concentrations, the plurality of regions including an N-well region, a P-well region, a low-doped buffer region, and a connection region. The low-doped buffer region separates the P-well region and the N-well region and has P-type dopants with a dopant concentration less than that of the P-well region. The connection region has N-type dopants and is provided over the low-doped buffer region, between the P-type region and the N-well region, connecting the P-well region and the N-well region. Providing the low-doped buffer region together with the connection region may significantly reduce leakage current in NMOS FinFETs.
(FR) L'invention concerne des couches semi-conductrices avec des profils de dopage modifiés pour former des structures FinFET de type N (NMOS), et des procédés et des dispositifs associés. Une couche semi-conductrice à titre d'exemple ayant un profil de dopage modifié comprend une pluralité de régions ayant différentes concentrations de dopant, la pluralité de régions comprenant une région de puits N, une région de puits P, une région tampon faiblement dopée et une région de connexion. La région tampon faiblement dopée sépare la région de puits P et la région de puits N et présente des dopants de type P ayant une concentration de dopant inférieure à celle de la région de puits P. La région de connexion comprend des dopants de type N et est disposée sur la région tampon faiblement dopée, entre la région de type P et la région de puits N, reliant la région de puits P et la région de puits N. La fourniture de la région tampon faiblement dopée conjointement avec la région de connexion peut réduire significativement le courant de fuite dans les finfet NMOS.
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: الإنكليزية (EN)
لغة الإيداع: الإنكليزية (EN)