بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2019004988) THERMOELECTRIC GENERATOR
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2019/004988 رقم الطلب الدولي: PCT/UA2017/000084
تاريخ النشر: 03.01.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 17.08.2017
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 35/02 (2006.01) ,H01L 35/26 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
ХВОРОСТЯНЫЙ, Андрей Дмитриевич KHVOROSTIANYI, Andrii Dmytrovych [UA/UA]; UA
المخترعون:
ХВОРОСТЯНЫЙ, Андрей Дмитриевич KHVOROSTIANYI, Andrii Dmytrovych; UA
ГЕНЗЕЛЬ, Виталий GENSEL, Vitali; DE
الوكيل:
НИЗОВАЯ, Инна Александровна NYZOVA, Inna Oleksandrivna; вул. Чаривна, 103-94, м. Запорижжя, vul. Charivna, 103-94 m. Zaporizhzhya, 69071, UA
بيانات الأولوية:
a 2017 0684530.06.2017UA
العنوان (EN) THERMOELECTRIC GENERATOR
(FR) GÉNÉRATEUR THERMOÉLECTRIQUE
(RU) ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР
الملخص:
(EN) The invention relates to thermoelectric generators, specifically to thermoelectric generators which make use of the thermoelectric properties of graded-gap p-n structures, i.e. the properties of graded-gap semiconductors with acceptor dopants and donor dopants (p-type and n-type graded-gap semiconductors, respectively) and of p-n junctions therebetween, and can be used for powering domestic electric appliances and charging power-supply elements of portable electronic devices, etc. A thermoelectric generator comprises a semiconductor unit which can extract heat from the environment and comprises at least one pair of interconnected graded-gap semiconductors, consisting of a p-type graded-gap semiconductor and an n-type graded-gap semiconductor, wherein a wide-gap side P of at least one p-type graded-gap semiconductor is connected to a narrow-gap side n of at least one n-type graded-gap semiconductor and, when at least one further pair of graded-gap semiconductors is present, the wide-gap side N of at least one n-type graded-gap semiconductor is connected to the narrow-gap side p of at least one p-type graded-gap semiconductor. The technical result consists in increasing the efficiency and power of a thermoelectric generator, in eliminating the need to maintain differences in temperatures at the contacts of the semiconductors, and heating and cooling the semiconductors, in the simplicity of the design and use, and in making the production process cheaper.
(FR) L'invention concerne des générateurs thermoélectriques et notamment des générateurs thermoélectriques utilisant pour leur fonctionnement les propriétés thermoélectriques des structures p-n à bandes variables, à savoir les propriétés des semi-conducteurs à bande variable avec des impuretés acceptrices ou donatrices (des semi-conducteurs des types p- et n-, respectivement) et des jonctions p-n entre eux, et peut s’utiliser pour l'alimentation d’appareils électroniques domestiques, le chargement d’éléments d’alimentation de dispositifs électroniques ou similaire. Le générateur thermoélectrique comprend un bloc semi-conducteur réalisé de manière à prélever de la chaleur dans l’environnement, qui comprend au moins une paire de semi-conducteurs à bande variable reliés entre eux constituée d’un semi-conducteur de type p à bande variable et d’un semi-conducteur de type n à bande variable, le côté à zone large p d’au moins un semi-conducteur de type p étant relié au côté à zone étroite d’au moins un semi-conducteur de type n, et en cas de présence d’au moins une autre paire de semi-conducteurs à zone variable, le côté à zone étroite n d'au moins un semi-conducteur à bande variable d'un semi-conducteur de type n est relié au côté à zone étroite d’au moins un semi-conducteur de type. Le résultat technique consiste à augmenter le facteur de mérite et la puissance du générateur thermoélectrique et éliminer la nécessité d’entretenir une différence de température sur les contacts des semi-conducteurs, une réchauffement et un refroidissement des semi-conducteurs, à simplifier la structure d’utilisation et réduire le coût de fabrication.
(RU) Изобретение относится к термоэлектрическим генераторам, а именно к термоэлектрическим генераторам, использующим в своей работе термоэлектрические свойства варизонных p-n структур, то есть свойства варизонных полупроводников с акцепторными и донорными примесями (варизонных полупроводников p- и n-типа соответственно) и p-n переходов между ними, и может быть использован для питания бытовых электроприборов, зарядки элементов питания переносных электронных устройств или другого. Термоэлектрический генератор включает выполненный с возможностью отбора тепла из окружающей среды полупроводниковый блок, содержащий по меньшей мере одну пару соединенных между собой варизонных полупроводников, состоящую из варизонного полупроводника р-типа и варизонного полупроводника п-типа, при этом широкозонная сторона Р по меньшей мере одного варизонного полупроводника р-типа соединена с узкозонной стороной п по меньшей мере одного варизонного полупроводника п-типа, а при наличии еще по меньшей мере одной пары варизонных полупроводников широкозонная сторона N по меньшей мере одного варизонного полупроводника п-типа соединена с узкозонной стороной р по меньшей мере одного варизонного полупроводника р-типа. Технический результат заключается в повышении КПД и мощности термоэлектрического генератора, исключении потребности в поддержании разницы температур на контактах полупроводников, нагрева и охлаждения полупроводников, простоте конструкции и использования, удешевлении процесса производства.
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: روسي (RU)
لغة الإيداع: روسي (RU)