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1. (WO2019004184) PLASMA TREATMENT DEVICE
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رقم النشر: WO/2019/004184 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2018/024146
تاريخ النشر: 03.01.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 26.06.2018
الفصل الثاني من الطلب المودع: 18.12.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H05H 1/46 (2006.01) ,B01J 19/08 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
キヤノンアネルバ株式会社 CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県川崎市麻生区栗木2-5-1 2-5-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550, JP
المخترعون:
田名部 正治 TANABE, Masaharu; JP
関谷 一成 SEKIYA, Kazunari; JP
井上 忠 INOUE, Tadashi; JP
笹本 浩 SASAMOTO, Hiroshi; JP
佐藤 辰憲 SATO, Tatsunori; JP
土屋 信昭 TSUCHIYA, Nobuaki; JP
竹田 敦 TAKEDA, Atsushi; JP
الوكيل:
大塚 康徳 OHTSUKA, Yasunori; JP
大塚 康弘 OHTSUKA, Yasuhiro; JP
高柳 司郎 TAKAYANAGI, Jiro; JP
木村 秀二 KIMURA, Shuji; JP
بيانات الأولوية:
2018-01755002.02.2018JP
PCT/JP2017/02360327.06.2017JP
PCT/JP2017/02361127.06.2017JP
العنوان (EN) PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
الملخص:
(EN) A plasma treatment device provided with: a balun having a first unbalanced terminal, a second unbalanced terminal, a first balanced terminal, and a second balanced terminal; a grounded vacuum container; a first electrode electrically connected to the first balanced terminal; a second electrode electrically connected to the second balanced terminal; an adjustment reactance having an effect on the relationship between a first voltage applied to the first electrode and a second voltage applied to the second electrode; a high-frequency power supply for generating high-frequency waves supplied between the first unbalanced terminal and the second unbalanced terminal; a substrate-holding unit for holding a substrate; and a drive mechanism for rotating the substrate-holding unit. The high-frequency power supply is such that the frequency of the high-frequency waves can be modified, and modifying the frequency adjusts the relationship.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de traitement au plasma comprenant : un symétriseur pourvu de première et seconde bornes non équilibrées et de première et seconde bornes équilibrées ; un contenant sous vide mis à la terre ; une première électrode connectée électriquement à la première borne équilibrée ; une seconde électrode connectée électriquement à la seconde borne équilibrée ; une réactance de réglage ayant un effet sur la relation entre une première tension appliquée à la première électrode et une seconde tension appliquée à la seconde électrode ; une alimentation électrique haute fréquence servant à générer des ondes haute fréquence fournies entre les première et seconde bornes non équilibrées ; une unité de maintien de substrat servant à maintenir un substrat ; et un mécanisme d'entraînement servant à faire tourner l'unité de maintien de substrat. L'alimentation électrique haute fréquence est telle que la fréquence des ondes haute fréquence peut être modifiée, d'où un réglage de la relation.
(JA) プラズマ処理装置は、第1不平衡端子、第2不平衡端子、第1平衡端子および第2平衡端子を有するバランと、接地された真空容器と、前記第1平衡端子に電気的に接続された第1電極と、前記第2平衡端子に電気的に接続された第2電極と、前記第1電極に印加される第1電圧と前記第2電極に印加される第2電圧との関係に影響を与える調整リアクタンスと、前記第1不平衡端子と前記第2不平衡端子との間に供給される高周波を発生する高周波電源と、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる駆動機構と、を備え、前記高周波電源は、前記高周波の周波数を変更可能であり、前記周波数の変更によって前記関係が調整される。
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لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)