بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2019003037) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC COMPONENT
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2019/003037 رقم الطلب الدولي: PCT/IB2018/054405
تاريخ النشر: 03.01.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 15.06.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H04N 5/369 (2011.01) ,G11C 11/405 (2006.01) ,H01L 27/1156 (2017.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang ar[IPC code unknown for H01L 27/1156]Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
المخترعون:
岡本佑樹 OKAMOTO, Yuki; JP
黒川義元 KUROKAWA, Yoshiyuki; JP
楠本直人 KUSUMOTO, Naoto; JP
بيانات الأولوية:
2017-12512427.06.2017JP
العنوان (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC COMPONENT
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置および電子部品
الملخص:
(EN) Provided is a semiconductor device which is capable of holding a signal detected by a sensor element. This semiconductor device is provided with a sensor element, a first transistor, a second transistor, and a third transistor, wherein one electrode of the sensor element is electrically connected to a first gate, the first gate is electrically connected to either the source or the drain of the third transistor, either the source or the drain of the first transistor is electrically connected to the gate of the second transistor, and a semiconductor layer is provided with a metal oxide.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui est capable de maintenir un signal détecté par un élément de capteur. Le dispositif à semi-conducteur de la présente invention est pourvu d'un élément de capteur, d'un premier transistor, d'un deuxième transistor et d'un troisième transistor, une électrode de l'élément de capteur étant électriquement connectée à une première grille, la première grille étant électriquement connectée soit à la source soit au drain du troisième transistor, soit la source soit le drain du premier transistor étant connecté électriquement à la grille du deuxième transistor, et une couche semi-conductrice étant pourvue d'un oxyde métallique.
(JA) センサ素子が検知した信号を保持することのできる半導体装置を提供する。 センサ素子と、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、を有し、セ ンサ素子の一方の電極は第1のゲートと電気的に接続され、第1のゲートは第3のトランジスタのソ ースまたはドレインの一方と電気的に接続され、第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方 は第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、半導体層は金属酸化物を有する構成とする。
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)