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1. (WO2018224927) MEMRISTIVE STRUCTUE
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رقم النشر: WO/2018/224927 رقم الطلب الدولي: PCT/IB2018/053936
تاريخ النشر: 13.12.2018 تاريخ الإيداع الدولي: 01.06.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 27/12 (2006.01)
Description not available in lang ar
المودعون:
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504, US
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU, GB (MG)
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED [CN/CN]; 25/F, Pangu Plaza No.27, Central North 4th Ring Road, Chaoyang District, Beijing 100101, CN (MG)
المخترعون:
BREW, Kevin; US
NEWNS, Dennis; US
KIM, Seyoung; US
GERSHON, Talia, Simcha; US
TODOROV, Teodor, Krassimirov; US
الوكيل:
LITHERLAND, David; GB
بيانات الأولوية:
15/616,32007.06.2017US
العنوان (EN) MEMRISTIVE STRUCTUE
(FR) STRUCTURE MEMRISTIVE
الملخص:
(EN) A method of fabricating a memristive structure for symmetric modulation between resistance states is presented. The method includes forming a first electrode and a second electrode over an insulating substrate, forming an anode contacting the first and second electrodes, forming an ionic conductor over the anode, forming a cathode of the same material as the anode over the ionic conductor, forming a third electrode over the cathode, and enabling bidirectional transport of ions between the anode and cathode resulting in a resistance adjustment of the memristive structure, the anode and the cathode being formed from metastable mixed conducting materials with ion concentration dependent conductivity.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure memristive de modulation symétrique entre des états de résistance. Le procédé consiste à former une première électrode et une deuxième électrode sur un substrat isolant, à former une anode en contact avec les première et deuxième électrodes, à former un conducteur ionique sur l'anode, à former une cathode du même matériau que l'anode sur le conducteur ionique, à former une troisième électrode sur la cathode, et à permettre un transport bidirectionnel d'ions entre l'anode et la cathode, ce qui entraîne un ajustement de résistance de la structure memristive, l'anode et la cathode étant formées à partir de matériaux conducteurs mélangés métastables ayant une conductivité dépendant de la concentration ionique.
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الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: الإنكليزية (EN)
لغة الإيداع: الإنكليزية (EN)