بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2018223391) MICRO-LED ARRAY TRANSFER METHOD, MANUFACTURING METHOD AND DISPLAY DEVICE
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2018/223391 رقم الطلب الدولي: PCT/CN2017/087774
تاريخ النشر: 13.12.2018 تاريخ الإيداع الدولي: 09.06.2017
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 21/70 (2006.01) ,H01L 21/50 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
GOERTEK. INC [CN/CN]; No. 268 Dongfang Road, Hi-Tech Industry District Weifang, Shandong 261031, CN
المخترعون:
ZOU, Quanbo; CN
CHEN, Peixuan; CN
FENG, Xiangxu; CN
GAN, Tao; CN
ZHANG, Xiaoyang; CN
WANG, Zhe; CN
الوكيل:
BEYOND TALENT PATENT AGENT FIRM; Room 1202, Kuntai Building #10 Chaoyangmenwai Str., Chaoyang District, Beijing 100020, CN
بيانات الأولوية:
العنوان (EN) MICRO-LED ARRAY TRANSFER METHOD, MANUFACTURING METHOD AND DISPLAY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE RÉSEAU DE MICRO-DEL, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
الملخص:
(EN) A micro-LED transfer method, manufacturing method and display device are provided. The micro-LED transfer method comprises: bonding the micro-LED array (204) on a first substrate (201) onto a receiving substrate (202) through micro-bumps (206), wherein the first substrate (201) is laser transparent; applying underfill (208) into a gap between the first substrate (201) and the receiving substrate (202); irradiating laser (207) onto the micro-LED array (204) from a side of the first substrate (201) to lift-off the micro-LED array (204) from the first substrate (201); and removing the underfill (208). The bonding strength may be improved during a transfer of a micro-LED array (204).
(FR) L'invention concerne un procédé de transfert de micro-DEL, un procédé de fabrication et un dispositif d'affichage. Le procédé de transfert de micro-DEL consiste à : lier le réseau de micro-DEL (204) sur un premier substrat (201) sur un substrat de réception (202) à travers des micro-bosses (206), le premier substrat (201) étant transparent au laser; appliquer un sous-remplissage (208) dans un espace entre le premier substrat (201) et le substrat de réception (202); irradier un laser (207) sur le réseau de micro-DEL (204) à partir d'un côté du premier substrat (201) pour soulever le réseau de micro-DEL (204) à partir du premier substrat (201); et retirer le sous-remplissage (208). La force de liaison peut être améliorée pendant un transfert d'un réseau de micro-DEL (204).
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: الإنكليزية (EN)
لغة الإيداع: الإنكليزية (EN)