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1. (WO2018189965) LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, SEMICONDUCTOR ELEMENT, WIRING FILM, WIRING SUBSTRATE, AND TARGET
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رقم النشر: WO/2018/189965 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2017/046927
تاريخ النشر: 18.10.2018 تاريخ الإيداع الدولي: 27.12.2017
التصنيف الدولي للبراءات:
G09F 9/30 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01B 1/02 (2006.01) ,H01B 5/14 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/532 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/02 (2006.01) ,H05B 33/06 (2006.01)
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المودعون:
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
المخترعون:
高澤 悟 TAKASAWA Satoru; JP
中台 保夫 NAKADAI Yasuo; JP
新田 純一 NITTA Junichi; JP
石橋 暁 ISHIBASHI Satoru; JP
الوكيل:
石島 茂男 ISHIJIMA Shigeo; JP
阿部 英樹 ABE Hideki; JP
بيانات الأولوية:
2017-07999113.04.2017JP
العنوان (EN) LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, SEMICONDUCTOR ELEMENT, WIRING FILM, WIRING SUBSTRATE, AND TARGET
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE, ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, FILM DE CÂBLAGE, SUBSTRAT DE CÂBLAGE ET CIBLE
(JA) 液晶表示装置、有機EL表示装置、半導体素子、配線膜、配線基板、ターゲット
الملخص:
(EN) Provided are: a wiring film which is able to be patterned by a single etching process, and which exhibits strong adhesion to a resin substrate; a semiconductor element which uses this wiring film; and a display device. According to the present invention, a base film 21 that is in contact with a resin substrate 30 is a copper thin film which contains, at a predetermined ratio, aluminum that is a main additive metal and silicon, titanium or nickel that is a secondary additive metal, and which exhibits strong adhesion to resins. Consequently, wiring line films 31, 32 (a gate electrode layer 32) do not separate from the resin substrate 30. In addition, since the base film 21 and a low resistance film 22 contain a large amount of copper, the base film 21 and the low resistance film 22 are able to be etched together by means of an etchant or an etching gas by which copper is etched. Consequently, the wiring line films 31, 32 are able to be patterned by a single etching process.
(FR) L'invention porte : sur un film de câblage qui peut être décoré d'un motif au moyen d'un seul processus de gravure et qui présente une forte adhérence à un substrat de résine ; sur un élément semi-conducteur qui utilise ce film de câblage ; et sur un dispositif d'affichage. Selon la présente invention, un film de base (21) qui est en contact avec un substrat de résine (30), est un film mince de cuivre qui contient, selon un rapport prédéterminé, de l'aluminium qui est un métal additif principal, et du silicium, du titane ou du nickel qui est un métal additif secondaire, et qui présente une forte adhérence aux résines. Par conséquent, des films de ligne de câblage (31, 32) (une couche d'électrode de grille (32)) ne sont pas séparés du substrat de résine (30). De plus, puisque le film de base (21) et un film à faible résistance (22) contiennent une grande quantité de cuivre, le film de base (21) et le film à faible résistance (22) peuvent être gravés ensemble au moyen d'un agent de gravure ou d'un gaz de gravure au moyen duquel le cuivre est gravé. Par conséquent, les films de ligne de câblage (31, 32) peuvent être décorés d'un motif au moyen d'un seul processus de gravure.
(JA) 1回のエッチングによってパターニングすることができ、樹脂基板に対する付着力が強い配線膜とその配線膜を用いた半導体素子、表示装置を提供する。樹脂基板30に接触した下地膜21は、主添加金属であるアルミニウムと、副添加金属であるシリコン、チタン又はニッケルを所定割合含有する銅薄膜であり、樹脂に対する付着力が強いので、配線膜31、32(ゲート電極層32)は樹脂基板30から剥離しない。また、下地膜21と低抵抗膜22とは銅を多く含有するので、銅をエッチングするエッチャント又はエッチングガスによって一緒にエッチングすることができるので、配線膜31、32は1回のエッチングによってパターンニングすることができる。
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لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)