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1. (WO2018165088) SCHOTTKY CONTACT STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR FORMING SUCH SCHOTTKY CONTACT STRUCTURE
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رقم النشر: WO/2018/165088 رقم الطلب الدولي: PCT/US2018/021040
تاريخ النشر: 13.09.2018 تاريخ الإيداع الدولي: 06.03.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 29/47 (2006.01) ,H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/20 (2006.01)
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المودعون:
RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, Massachusetts 02451-1449, US
المخترعون:
TABATABAIE-ALAVI, Kamal; US
CHENG, Kezia; US
MACDONALD, Christopher, J.; US
الوكيل:
MOFFORD, Donald, F.; US
ROBINSON, Kermit; US
DURKEE, Paul, D.; US
MILMAN, Seth, A.; US
MOOSEY, Anthony, T.; US
DALY, Christopher, S.; US
CROWLEY, Judith, C.; US
DOWNING, Marianne, M.; US
FLINDERS, Matthew; US
BLAU, David, E.; US
بيانات الأولوية:
15/452,98608.03.2017US
العنوان (EN) SCHOTTKY CONTACT STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR FORMING SUCH SCHOTTKY CONTACT STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE CONTACT SCHOTTKY POUR DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE TELLE STRUCTURE DE CONTACT SCHOTTKY
الملخص:
(EN) A Schottky contact structure (18) for a semiconductor device (10) having a Schottky contact (20) and an electrode (22) for the contact structure disposed on the contact. The Schottky contact comprises: a first layer (24) of a first metal in Schottky contact with a semiconductor; a second layer (26) of a second metal on the first layer; a third layer (28) of the first metal on the second layer; and a fourth layer (30) of the second metal on the third layer. The electrode for the Schottky contact structure disposed on the Schottky contact comprises a third metal (22), the second metal providing a barrier against migration between the third metal and the first metal.
(FR) L'invention concerne une structure de contact Schottky (18) pour un dispositif semiconducteur (10) comprenant un contact Schottky (20) et une électrode (22) pour la structure de contact disposée sur le contact. Le contact Schottky comprend : une première couche (24) d'un premier métal en contact Schottky avec un semiconducteur ; une deuxième couche (26) d'un deuxième métal sur la première couche ; une troisième couche (28) du premier métal sur la deuxième couche ; et une quatrième couche (30) du deuxième métal sur la troisième couche. L'électrode pour la structure de contact Schottky disposée sur le contact Schottky comprend un troisième métal (22), le deuxième métal réalisant une barrière contre la migration entre le troisième métal et le premier métal.
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لغة الإيداع: الإنكليزية (EN)