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1. (WO2018163732) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE
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رقم النشر: WO/2018/163732 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2018/005052
تاريخ النشر: 13.09.2018 تاريخ الإيداع الدولي: 14.02.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/359 (2011.01) ,H04N 5/3745 (2011.01)
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المودعون:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
المخترعون:
吉田 遼人 YOSHITA, Ryoto; JP
町田 貴志 MACHIDA, Takashi; JP
熊谷 至通 KUMAGAI, Yoshimichi; JP
الوكيل:
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
بيانات الأولوية:
2017-04196406.03.2017JP
العنوان (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEUR
(JA) 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
الملخص:
(EN) Disclosed is a solid-state imaging device that is provided with: a semiconductor substrate having a light incidence surface; a photoelectric conversion unit which is provided for each pixel on the light incidence surface side in the semiconductor substrate; a charge storage unit which is provided for each pixel on the side opposite to the light incidence surface away from the photoelectric conversion unit in the semiconductor substrate; a first transfer transistor which transfers a signal charge accumulated in the photoelectric conversion unit to the charge storage unit; a wiring layer which is disposed at the side opposite to the light incidence surface of the semiconductor substrate; a first vertical electrode and a second vertical electrode that extend from the surface opposite to the light incidence surface of the semiconductor substrate up to the photoelectric conversion unit; a first light blocking film which is disposed in at least a portion of the area surrounding the photoelectric conversion unit in such a manner as to be oriented in the thickness direction of the semiconductor substrate; and a second light blocking film which is disposed between the photoelectric conversion unit and the charge storage unit in such a manner as to be oriented in the surface direction of the semiconductor substrate, wherein the first and second vertical electrodes are adjacently arranged so as to be separated from each other by a distance equal to a half of the length of one edge of the pixel.
(FR) L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semiconducteur qui comporte : un substrat semiconducteur ayant une surface d'incidence de lumière; une unité de conversion photoélectrique qui est disposée pour chaque pixel sur le côté de surface d'incidence de lumière dans le substrat semiconducteur; une unité de stockage de charge qui est disposée pour chaque pixel sur le côté opposé à la surface d'incidence de lumière à l'opposé de l'unité de conversion photoélectrique dans le substrat semiconducteur; un premier transistor de transfert qui transfère une charge de signal accumulée dans l'unité de conversion photoélectrique à l'unité de stockage de charge; une couche de câblage qui est disposée sur le côté opposé à la surface d'incidence de lumière du substrat semiconducteur; une première électrode verticale et une seconde électrode verticale qui s'étendent depuis la surface opposée à la surface d'incidence de lumière du substrat semiconducteur jusqu'à l'unité de conversion photoélectrique; un premier film de blocage de lumière qui est disposé dans au moins une partie de la zone entourant l'unité de conversion photoélectrique de manière à être orienté dans la direction de l'épaisseur du substrat semiconducteur; et un second film de blocage de lumière qui est disposé entre l'unité de conversion photoélectrique et l'unité de stockage de charge de manière à être orienté dans la direction de surface du substrat semiconducteur, les première et seconde électrodes verticales étant agencées de manière adjacente de manière à être séparées l'une de l'autre d'une distance égale à une moitié de la longueur d'un bord du pixel.
(JA) 光入射面を有する半導体基板と、前記半導体基板内の前記光入射面側に、画素毎に設けられた光電変換部と、前記半導体基板内の前記光電変換部より前記光入射面と反対側に、前記画素毎に設けられた電荷蓄積部と、前記光電変換部に蓄積された信号電荷を前記電荷蓄積部に転送する第1転送トランジスタと、前記半導体基板の前記光入射面と反対面側に設けられた配線層と、前記半導体基板の前記光入射面と反対面から前記光電変換部に延在する、第1縦型電極および第2縦型電極と、前記光電変換部の周囲の少なくとも一部に、前記半導体基板の厚み方向に設けられた第1遮光膜と、前記光電変換部と前記電荷蓄積部との間に、前記半導体基板の面方向に設けられた第2遮光膜とを備え、前記第1縦型電極と前記第2縦型電極は、前記画素の一辺の長さの半分以下の距離に隣接して配置されている固体撮像装置。
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