بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2018159126) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2018/159126 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2018/001143
تاريخ النشر: 07.09.2018 تاريخ الإيداع الدولي: 17.01.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 27/088 (2006.01) ,H01L 21/762 (2006.01) ,H01L 27/144 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
المخترعون:
牛膓 哲雄 GOCHO, Tetsuo; JP
الوكيل:
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
بيانات الأولوية:
2017-04070203.03.2017JP
العنوان (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法並びに電子機器
الملخص:
(EN) A semiconductor device according to an embodiment of the present invention comprises: an SOI substrate on which a silicon substrate layer, a first insulating layer, and a semiconductor layer are laminated in the stated order; a first transistor provided on the semiconductor layer; a second transistor having a higher withstand voltage than does the first transistor, the second transistor being provided on the silicon substrate layer; and an element isolation film provided between the first transistor and the second transistor, the element isolation film being configured from a second insulating layer that is buried in an opening that passes through the semiconductor layer and the first insulating layer and reaches the inside of the silicon substrate layer, and a portion of the second insulating layer constituting a gate insulation film of the second transistor.
(FR) La présente invention concerne, selon un mode de réalisation, un dispositif à semi-conducteurs comprenant : un substrat SOI sur lequel une couche de substrat de silicium, une première couche isolante et une couche semi-conductrice sont stratifiées dans l'ordre indiqué ; un premier transistor disposé sur la couche semi-conductrice ; un second transistor ayant une tension de maintien supérieure à celle du premier transistor, le second transistor étant disposé sur la couche de substrat de silicium ; et un film d'isolation d'élément disposé entre le premier transistor et le second transistor, le film d'isolation d'élément étant configuré à partir d'une seconde couche isolante qui est enfouie dans une ouverture qui passe à travers la couche semi-conductrice et la première couche isolante et atteint l'intérieur de la couche de substrat de silicium, et une partie de la seconde couche isolante constituant un film d'isolation de grille du second transistor.
(JA) 本開示の一実施形態の半導体装置は、シリコン基板層、第1の絶縁層、および半導体層がこの順に積層されたSOI基板と、半導体層上に設けられた第1のトランジスタと、シリコン基板層上に設けられ、第1のトランジスタよりも高耐圧な第2のトランジスタと、第1のトランジスタと第2のトランジスタとの間に設けられた素子分離膜とを備え、素子分離膜は、半導体層および第1の絶縁層を貫通してシリコン基板層内に達する開口に埋設された第2の絶縁層によって構成され、第2の絶縁層の一部は、第2のトランジスタのゲート絶縁膜を構成している。
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)