بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2018158529) METHOD FOR MANUFACTURING A DONOR SUBSTRATE FOR MAKING OPTOELECTRONIC DEVICES
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2018/158529 رقم الطلب الدولي: PCT/FR2018/050446
تاريخ النشر: 07.09.2018 تاريخ الإيداع الدولي: 26.02.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 21/762 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
SOITEC [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques 38190 BERNIN, FR
المخترعون:
SOTTA, David; FR
الوكيل:
BREESE, Pierre; FR
بيانات الأولوية:
175166601.03.2017FR
العنوان (EN) METHOD FOR MANUFACTURING A DONOR SUBSTRATE FOR MAKING OPTOELECTRONIC DEVICES
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DONNEUR POUR LA FORMATION DE DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES
الملخص:
(EN) The invention relates to a method for preparing a crystalline semiconductor layer in order for the layer to be provided with a specific lattice parameter. Said method involves a relaxation procedure which is applied for a first time to a first starting donor substrate (1) in order to obtain a second donor substrate (5). Using the second donor substrate (5) as the starting donor substrate (1), the relaxation procedure is repeated for a number of times that is sufficient for the lattice parameter of the relaxed layer to be provided with the specific lattice parameter. The invention also relates to a set (10) of substrates (5') obtained by said method.
(FR) L'invention porte sur un procédé de préparation d'une couche de semi-conducteur cristallin pour qu'elle présente un paramètre de maille déterminé. Le procédé met en œuvre une séquence de relaxation appliquée une première fois sur un premier substrat donneur de départ (1) pour fournir un second substrat donneur (5). La séquence de relaxation est répétée, en prenant le second substrat donneur (5) comme substrat donneur de départ (1), un nombre suffisant de fois pour que le paramètre de maille de la couche relaxée présente le paramètre de maille déterminé. L'invention porte également sur une collection (10) de substrats (5' ) issus de ce procédé.
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: فرنسي (FR)
لغة الإيداع: فرنسي (FR)