بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2018153590) SEMICONDUCTOR MODULE COMPRISING A HEAT SINK
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2018/153590 رقم الطلب الدولي: PCT/EP2018/051508
تاريخ النشر: 30.08.2018 تاريخ الإيداع الدولي: 23.01.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 21/48 (2006.01)
Description not available in lang ar
المودعون:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Werner-von-Siemens-Straße 1 80333 München, DE
المخترعون:
SEIBICKE, Frank; DE
بيانات الأولوية:
17158155.627.02.2017EP
العنوان (EN) SEMICONDUCTOR MODULE COMPRISING A HEAT SINK
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR POURVU D'UN DISSIPATEUR THERMIQUE
(DE) HALBLEITERMODUL MIT KÜHLKÖRPER
الملخص:
(EN) The invention relates to a method for manufacturing a semiconductor module (1) comprising a heat sink (2). In order to improve heat transfer between the semiconductor module (1) and the heat sink (2), the heat sink (2) is applied to a substrate (11) of the semiconductor module (1) using an additive manufacturing process, the heat sink (2) being formed by applying a material containing metal. The invention further relates to a semiconductor module (1) comprising a heat sink (2) that is disposed on the substrate (11) of the semiconductor module (1) using the aforementioned kind of method.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un module semi-conducteur (1) pourvu d'un dissipateur thermique (2). Selon l'invention, pour améliorer le transfert de chaleur entre le module semi-conducteur (1) et le dissipateur thermique (2), le dissipateur thermique (2) est appliqué par un procédé de fabrication additive sur une plaque de base (11) du module semi-conducteur (1), le dissipateur thermique (2) étant formé par application d'un matériau présentant du métal. L'invention concerne en outre un module semi-conducteur (1) pourvu d'un dissipateur thermique (2), le dissipateur thermique (2) étant disposé par un tel procédé sur la plaque de base (11) du module semi-conducteur (1).
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls (1) mit einem Kühlkörper (2). Zur Verbesserung des Wärmeübergangs zwischen Halbleitermodul (1) und Kühlkörper (2) wird vorgeschlagen, dass der Kühlkörper (2) mittels eines additiven Fertigungsverfahrens auf eine Bodenplatte (11) des Halbleitermoduls (1) aufgetragen wird, wobei der Kühlkörper (2) durch Auftragen eines Materials gebildet wird, das Metall aufweist. Weiter betrifft die Erfindung ein Halbleitermodul (1) mit einem Kühlkörper (2), wobei der Kühlkörper (2) mittels eines solchen Verfahrens an der Bodenplatte (11) des Halbleitermoduls (1) angeordnet ist.
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ألماني (DE)
لغة الإيداع: ألماني (DE)