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1. (WO2018146965) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
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رقم النشر: WO/2018/146965 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2017/046637
تاريخ النشر: 16.08.2018 تاريخ الإيداع الدولي: 26.12.2017
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 27/00 (2006.01) ,H01L 27/088 (2006.01)
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المودعون:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
المخترعون:
天野 茂樹 AMANO, Shigeki; JP
الوكيل:
亀谷 美明 KAMEYA, Yoshiaki; JP
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
بيانات الأولوية:
2017-02185309.02.2017JP
العنوان (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEURS
(JA) 半導体装置、および半導体装置の製造方法
الملخص:
(EN) [Problem] The present invention addresses the problem of providing a semiconductor device wherein a terminal for outputting electrical signals to the outside is further miniaturized, and a method for manufacturing the semiconductor device. [Solution] This semiconductor device is provided with: a first chip, which is formed by laminating a first substrate and a first wiring layer, and which includes a sensor element; a second chip, which is formed by laminating a second substrate and a second wiring layer, and which is bonded to the first chip such that the first wiring layer and the second wiring layer face each other; and at least one through hole via, which is electrically connected to the second wiring layer, and which protrudes from a second chip surface by penetrating the second substrate, said second chip surface being on the reverse side of the surface to which the first chip is laminated.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un dispositif à semi-conducteurs dans lequel une borne destinée à émettre des signaux électriques vers l'extérieur est en outre miniaturisée, et un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteurs. La solution selon l'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs qui est pourvu : d'une première puce, qui est formée par stratification d'un premier substrat et d'une première couche de câblage, et qui comprend un élément de capteur ; d'une seconde puce, qui est formée par stratification d'un second substrat et d'une seconde couche de câblage, et qui est liée à la première puce de telle sorte que la première couche de câblage et la seconde couche de câblage se font face ; et au moins un trou d'interconnexion traversant, qui est électriquement connecté à la seconde couche de câblage, et qui fait saillie à partir d'une seconde surface de puce en pénétrant dans le second substrat, ladite seconde surface de puce se trouvant sur le côté inverse de la surface sur laquelle la première puce est stratifiée.
(JA) 【課題】外部に電気信号を出力する端子がより微細化された半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】第1基板および第1配線層を積層して形成され、センサ素子を含む第1チップと、第2基板および第2配線層を積層して形成され、前記第1配線層および前記第2配線層が互いに対向するように前記第1チップと貼り合わされた第2チップと、前記第2配線層と電気的に接続し、前記第2基板を貫通することで、前記第1チップが積層された面と対向する前記第2チップの面から突出する少なくとも1つ以上のスルーホールビアと、を備える、半導体装置。
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