بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2018139282) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC INSTRUMENT
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2018/139282 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2018/001091
تاريخ النشر: 02.08.2018 تاريخ الإيداع الدولي: 17.01.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 27/146 (2006.01) ,G02B 7/02 (2006.01) ,G03B 17/02 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
المخترعون:
宝玉 晋 HOGYOKU Susumu; JP
الوكيل:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
بيانات الأولوية:
2017-01430330.01.2017JP
العنوان (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC INSTRUMENT
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET INSTRUMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置、及び、電子機器
الملخص:
(EN) The present art pertains to a semiconductor device with which it is possible to provide an optical system that is stable with respect to heat, and an electronic instrument. Provided is a semiconductor device equipped with a sensor and a holding substrate for holding the sensor, the semiconductor device satisfying the relationships (EI × tI) + (ES × tS) > 30 and 1.5 < CTEI < 4.5, where, regarding the sensor, ES(GPa) represents the Young's modulus and tS(mm) represents the thickness, and regarding the holding substrate, CTEI(ppm/K) represents the linear coefficient, EI(GPa) represents the Young's modulus, and tI(mm) represents the thickness. The present art can be applied to, e.g., a semiconductor package housing an image sensor.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur avec lequel il est possible de fournir un système optique qui est stable vis-à-vis de la chaleur, et un instrument électronique. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur équipé d'un capteur et d'un substrat de maintien destiné à maintenir le capteur, le dispositif à semi-conducteur satisfaisant les relations (EI × tI) + (ES × tS) > 30 et 1,5 < CTEI < 4,5, où, en ce qui concerne le capteur, ES (GPa) représente le module d'élasticité de Young et tS (mm) représente l'épaisseur, et en ce qui concerne le substrat de maintien, CTEI (ppm/K) représente le coefficient linéaire, EI (GPa) représente le module d'élasticité de Young, et tI (mm) représente l'épaisseur. La présente invention peut être appliquée, par exemple, à un boîtier de semi-conducteur logeant un capteur d'image.
(JA) 本技術は、熱に対して安定な光学系を提供することができるようにする半導体装置、及び、電子機器に関する。 センサと、当該センサを保持する保持基板とを備え、センサについて、ヤング率をES(GPa),厚みをtS(mm)とし、保持基板について、線膨張係数をCTEI(ppm/K),ヤング率をEI(GPa),厚みをtI(mm)としたとき、(EI × tI)+(ES × tS) > 30、かつ、1.5 < CTEI < 4.5を満たしている半導体装置が提供される。本技術は、例えば、イメージセンサを収納した半導体パッケージに適用することができる。
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)