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1. (WO2018138370) SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING SEMICONDUCTOR CHIP
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PATENTA S PRUCHE

1. Halbleiterbauelement (1) mit einem strahlungsemittieren- den Halbleiterchip (2), wobei der Halbleiterchip (2) aus- gebildet ist, um eine Primärstrahlung zu erzeugen, wobei der Halbleiterchip (2) mit einer ersten Schicht (11) mit Konversionsmaterial (18) bedeckt ist, wobei das Konversionsmaterial (18) ausgebildet ist, um die Primärstrahlung zu absorbieren und eine Sekundärstrahlung abzugeben, wo- bei auf der ersten Schicht (11) ein Konversionselement

(23) angeordnet ist, wobei das Konversionselement (23) Halbleiterschichten (27) aufweist, wobei die Halbleiterschichten (27) ausgebildet sind, um die Primärstrahlung zu absorbieren und eine Tertiärstrahlung zu emittieren.

Halbleiterbauelement (1) nach Anspruch 1, wobei die erste Schicht (11) ein Matrixmaterial (17) und das Konversionsmaterial (18) aufweist.

3. Halbleiterbauelement (1) nach Anspruch 2, wobei eine Unterseite (22) des Konversionselements (23) direkt über eine Haftverbindung mit der ersten Schicht (11) verbunden ist .

4. Halbleiterbauelement (1) nach einem der vorhergehenden

Ansprüche, wobei eine zweite Schicht (12) auf der ersten Schicht (11) angeordnet ist, wobei das Konversionselement (23) seitlich in die zweite Schicht (12) eingebettet ist.

5. Halbleiterbauelement (1) nach Anspruch 4, wobei die zweite Schicht (12) ein Matrixmaterial (25) und Streupartikel (26) aufweist.

6. Halbleiterbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Halbleiterschichten (27) des Konversionselementes (23) wenigstens eine Quantentopfstruktur aufweisen .

Halbleiterbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Halbleiterchip (2) wenigstens eine zweite aktive Zone (31) aufweist, wobei die zweite aktive Zone (31) elektrisch in Serie zur aktiven Zone (31) angeordnet ist, wobei die zweite aktive Zone (31) ausgebildet ist, um Primärstrahlung zu erzeugen.

Halbleiterbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Halbleiterchip (2) auf einem Träger

(3, 4, 8) angeordnet ist, wobei auf dem Träger (3, 4, 8) ein Rahmen (6) angeordnet ist, wobei der Rahmen (6) einen Innenraum (7) umgibt, wobei der Halbleiterchip (2) in dem Innenraum (7) angeordnet ist, wobei der Rahmen (6) in einem unteren Abschnitt (19) des Innenraums (7) mit der ersten Schicht (11) aufgefüllt ist, wobei auf der ersten Schicht (11) das Konversionselement (23) aufliegt, wobei ein oberer Abschnitt (20) des Innenraums (7) seitlich neben dem Konversionselement (23) mit der zweiten Schicht

(12) wenigstens teilweise aufgefüllt ist.

Halbleiterbauelement (1) nach Anspruch 8, wobei der Rahmen (6) auf einer Innenseite in einen unteren Abschnitt (19) und einen oberen Abschnitt (20) aufweist, wobei der untere Abschnitt (19) über eine nach außen gerichtete Abstufung (21) in den oberen Abschnitt (20) übergeht, wobei an der Abstufung (21) der Rahmen (6) nach außen versetzt ausgebildet ist, und wobei die erste Schicht (11) im unteren Abschnitt (19) bis zu der Abstufung (21) den Innenraum (7) ausfüllt, und wobei die zweite Schicht (12) wenigstens einen Teil des oberen Abschnittes (20) ausfüllt.

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes (1), wobei ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (2) bereitgestellt wird, wobei der Halbleiterchip (2) ausgebildet ist, um eine Primärstrahlung zu erzeugen, wobei der Halbleiterchip (2) mit einer ersten Schicht (11) mit einem Konversionsmaterial (18) bedeckt wird, wobei das Konversionsmaterial (18) ausgebildet ist, um die Primärstrahlung zu absorbieren und eine Sekundärstrahlung abzugeben, wobei auf der ersten Schicht (11) ein Konversionselement (23) angeordnet wird, wobei das Konversionsele- ment (23) Halbleiterschichten (27) aufweist, wobei die

Halbleiterschichten (27) eine aktive Zone bilden, die ausgebildet ist, um die Primärstrahlung zu absorbieren und eine Tertiärstrahlung zu emittieren.

11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die erste Schicht (11) ein Matrixmaterial (17) und das Konversionsmaterial (18) aufweist, wobei eine Unterseite (22) des Konversionselements (23) auf eine noch nicht vollständig ausgehärtete erste Schicht (11) aufgelegt wird, und wobei das Konver- sionselement (23) nach dem Aushärten der ersten Schicht

(11) direkt über eine Haftverbindung mit der ersten

Schicht (11) verbunden ist.

12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, wobei eine zweite

Schicht (12) auf der ersten Schicht (11) angeordnet wird, wobei das Konversionselement (23) mit Seitenflächen in die zweite Schicht (12) eingebettet wird, wobei die zweite Schicht (12) ein Matrixmaterial (25) und ein Streupartikel (26) aufweist.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei der Halbleiterchip (2) wenigstens eine zweite aktive Zone (31) aufweist, um eine Primärstrahlung zu erzeugen.

14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, wobei der Halbleiterchip (2) auf einem Träger (3, 4, 8) angeordnet wird, wobei auf dem Träger (3, 4, 8) ein Rahmen (6) angeordnet wird, wobei der Rahmen (6) einen Innenraum (7) umgibt, wobei der Halbleiterchip (2) in dem Innenraum (7) angeordnet ist, wobei der Rahmen (6) auf einer Innenseite in einen unteren Abschnitt (19) und in einen oberen Abschnitt (20) eingeteilt ist, wobei der untere Abschnitt (19) über eine nach außen gerichtete Abstufung (21) in den oberen Abschnitt (20) übergeht, wobei an der Abstufung (21) der Rahmen (6) nach außen versetzt ausgebildet ist, wobei die erste Schicht (11) in den Innenraum (7) bis zu der Abstufung (21) aufgefüllt wird, bevor der Halbleiterchip (2) auf die erste Schicht (11) aufgelegt wird, wobei die zweite Schicht (12) mit Streupartikeln (26) auf die erste Schicht (11) und auf den Halbleiterchip (2) gefüllt wird, so dass die zweite Schicht (12) wenigstens einen Teil des oberen Abschnittes (20) des Innenraumes (7) ausfüllt.

Verfahren nach Anspruch 14, wobei eine weitere Schicht (13) auf die zweite Schicht (12) und auf das Konversionselement (23) in den Innenraum (7) des Rahmens (6) gefüllt wird .