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1. (WO2018101089) LIQUID CRYSTAL DEVICE, METHOD FOR MEASURING RESIDUAL DC VOLTAGE IN LIQUID CRYSTAL DEVICE, METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DEVICE
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رقم النشر: WO/2018/101089 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2017/041529
تاريخ النشر: 07.06.2018 تاريخ الإيداع الدولي: 17.11.2017
التصنيف الدولي للبراءات:
G02F 1/13 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01Q 3/34 (2006.01) ,H01Q 3/44 (2006.01) ,H01Q 13/22 (2006.01) ,H01Q 21/06 (2006.01)
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المودعون:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
المخترعون:
水崎 真伸 MIZUSAKI Masanobu; --
الوكيل:
奥田 誠司 OKUDA Seiji; JP
بيانات الأولوية:
2016-23099429.11.2016JP
العنوان (EN) LIQUID CRYSTAL DEVICE, METHOD FOR MEASURING RESIDUAL DC VOLTAGE IN LIQUID CRYSTAL DEVICE, METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DEVICE
(FR) DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES, PROCÉDÉ DE MESURE DE TENSION CC RÉSIDUELLE DANS UN DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES, PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) 液晶装置、液晶装置の残留DC電圧値を求める方法、液晶装置の駆動方法、および液晶装置の製造方法
الملخص:
(EN) The present invention provides a method for measuring a residual DC voltage in a liquid crystal device, the liquid crystal device comprising an active region (R1) including a plurality of liquid crystal capacitors and a plurality of thin film transistors (TFT) and an inactive region (R2) located in a region excluding the active region and having at least one monitor capacitor (MVr1), with the plurality of liquid crystal capacitors and the at least one monitor capacitor including a liquid crystal layer. The method for measuring a residual DC voltage in a liquid crystal device comprises: a step of creating a V-I curve by measuring a current flowing in one electrode in a pair of electrodes included in the at least one monitor capacitor while applying a positive-negative symmetrical triangular wave voltage to the other electrode; a step of measuring a voltage Vmax having a maximum absolute value where a current reaches a positive local maximum value or local minimum value in the V-I curve, and a voltage Vmin having a maximum absolute value where a current reaches a negative local minimum value or local maximum value; and a step of measuring one-half of the sum of the Vmax and Vmin as the residual DC voltage.
(FR) La présente invention concerne un procédé de mesure d’une tension CC résiduelle dans un dispositif à cristaux liquides, le dispositif à cristaux liquides comprenant une région active (R1) comprenant une pluralité de condensateurs à cristaux liquides et une pluralité de transistors à couche mince (TFT) et une région inactive (R2) située dans une région excluant la région active et comportant au moins un condensateur de surveillance (MVr1), la pluralité de condensateurs à cristaux liquides et l’au moins un condensateur de surveillance comprenant une couche de cristaux liquides. Le procédé de mesure d’une tension CC résiduelle dans un dispositif à cristaux liquides comprend : une étape de génération d’une courbe V-I par mesure d’un courant circulant dans une électrode dans une paire d’électrodes comprises dans ledit au moins un condensateur de surveillance tout en appliquant une tension d’onde triangulaire symétrique positive-négative à l’autre électrode ; une étape de mesure d’une tension Vmax ayant une valeur absolue maximale à laquelle un courant atteint une valeur maximale locale positive ou une valeur minimale locale dans la courbe V-I, et une tension Vmin ayant une valeur absolue maximale à laquelle un courant atteint une valeur minimale locale négative ou une valeur maximale locale ; et une étape de mesure de la moitié de la somme de Vmax et Vmin en tant que tension CC résiduelle.
(JA) 液晶装置の残留DC電圧値を求める方法は、複数の液晶容量および複数のTFTとを有するアクティブ領域(R1)と、アクティブ領域以外の領域に位置し、少なくとも1つのモニター用容量(MVr1)を有する非アクティブ領域(R2)とを備え、複数の液晶容量および少なくとも1つのモニター用容量は、液晶層を含む、液晶装置の残留DC電圧値を求める方法であって、少なくとも1つのモニター用容量が有する一対の電極の内の一方の電極に正負対称な三角波電圧を印加しながら、他方の電極に流れる電流を測定することによって、V-I曲線を生成する工程と、V-I曲線において、電流値が正の極大値または極小値を取る最も絶対値の大きい電圧値Vmaxと、電流値が負の極小値または極大値を取る最も絶対値の大きい電圧値Vminとを求める工程と、VmaxとVminとの和の2分の1を残留DC電圧値として求める工程とを包含する。
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الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (الأريبو) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
المكتب الأوروبي الآسيوي للبراءات (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)