بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2018092213) LASER IRRADIATION DEVICE AND THIN-FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2018/092213 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2016/083972
تاريخ النشر: 24.05.2018 تاريخ الإيداع الدولي: 16.11.2016
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 21/20 (2006.01)
Description not available in lang ar
المودعون:
株式会社ブイ・テクノロジー V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県横浜市保土ヶ谷区神戸町134番地 134, Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2400005, JP
堺ディスプレイプロダクト株式会社 SAKAI DISPLAY PRODUCTS CORPORATION [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumicho, Sakai-ku, Sakai-shi, Osaka 5908522, JP
المخترعون:
水村 通伸 MIZUMURA, Michinobu; JP
野寺 伸武 NODERA, Nobutake; JP
松島 吉明 MATSUSHIMA, Yoshiaki; JP
田中 優数 TANAKA, Masakazu; JP
松本 隆夫 MATSUMOTO, Takao; JP
中川 英俊 NAKAGAWA, Hidetoshi; JP
الوكيل:
白坂 一 SHIRASAKA, Hajime; JP
高梨 玲子 TAKANASHI, Reiko; JP
播磨 里江子 HARIMA, Rieko; JP
بيانات الأولوية:
العنوان (EN) LASER IRRADIATION DEVICE AND THIN-FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE RAYONNEMENT LASER ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
(JA) レーザ照射装置および薄膜トランジスタの製造方法
الملخص:
(EN) When present on a substrate, joint lines between annealing treatments are often seen as uneven joints. This laser irradiation device is characterized by being provided with a light source which generates a laser, a projection lens which performs annealing treatment by irradiating said laser onto a prescribed region of an amorphous silicon thin film coated on each of multiple thin film transistors on a glass substrate, and a projection mask pattern which is provided on the projection lens and which has multiple openings such that the laser is irradiated onto each of said multiple thin film transistors; when annealing treatment in a prescribed direction on the glass substrate has been completed, the projection lens moves in a direction perpendicular to the aforementioned prescribed direction and then again performs the annealing treatment in said prescribed direction; in the projection mask pattern, the number of openings gradually increases in the aforementioned perpendicular direction from the outside rows of the projection mask pattern towards the inside rows.
(FR) Lorsque des lignes de jonction entre des traitements de recuit sont présentes sur un substrat, adoptent souvent l'aspect de jonctions irrégulières. Le présent dispositif de rayonnement laser est caractérisé en ce qu'il est pourvu d'une source de lumière qui génère un laser, d'une lentille de projection qui exécute un traitement de recuit par exposition d'une région prescrite d'une couche mince de silicium amorphe revêtant chaque transistor de multiples transistors à couches minces sur un substrat en verre à un rayonnement dudit laser, et d'un motif de masque de projection disposé sur la lentille de projection et comportant de multiples ouvertures de sorte que chaque transistor parmi lesdits multiples transistors à couches minces soit exposé à un rayonnement laser ; à la fin de l'exécution, sur le substrat en verre, d'un traitement de recuit dans une direction prescrite, la lentille de projection se déplace dans une direction perpendiculaire à la direction prescrite susmentionnée, puis exécute à nouveau le traitement de recuit dans ladite direction prescrite ; le nombre d'ouvertures du motif de masque de projection augmente progressivement dans la direction perpendiculaire susmentionnée à partir des rangées extérieures du motif de masque de projection vers les rangées intérieures.
(JA) 基板上において、アニール化処理間のつなぎ目が存在すると、当該つなぎ目がつなぎムラとして認識されてしまう。本発明の一実施形態におけるレーザ照射装置は、レーザ光を発生する光源と、ガラス基板上の複数の薄膜トランジスタの各々に被着されたアモルファスシリコン薄膜の所定の領域に、当該レーザ光を照射してアニール化処理を行う投影レンズと、当該投影レンズ上に設けられ、当該複数の薄膜トランジスタの各々に対して当該レーザ光が照射されるように、複数の開口部が設けられた投影マスクパターンと、を備え、当該投影レンズは、当該ガラス基板上の所定の方向に対するアニール化処理が完了した場合、当該所定の方向の直交方向に移動した後、再度、当該所定の方向に対するアニール化処理を行い、当該投影マスクパターンは、当該直交方向において、当該投影マスクパターンの外側の列から内側の列に向けて、当該開口部の数を徐々に増加させることを特徴とする。
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)