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1. (WO2018065267) PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR LITHOGRAPHY WITH INCREASED THERMAL ROBUSTNESS
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رقم النشر: WO/2018/065267 رقم الطلب الدولي: PCT/EP2017/074431
تاريخ النشر: 12.04.2018 تاريخ الإيداع الدولي: 27.09.2017
التصنيف الدولي للبراءات:
G03F 7/20 (2006.01)
Description not available in lang ar
المودعون:
CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen, DE
المخترعون:
AKBARINIA, Alireza; DE
KEMP, Alexandre; DE
LAUFER, Timo; DE
PANCHAL, Amishkumar; DE
الوكيل:
RAUNECKER, Klaus, Peter; DE
بيانات الأولوية:
10 2016 219 333.306.10.2016DE
العنوان (EN) PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR LITHOGRAPHY WITH INCREASED THERMAL ROBUSTNESS
(FR) APPAREIL D'EXPOSITION PAR PROJECTION DESTINÉ À UNE LITHOGRAPHIE À SEMI-CONDUCTEURS À ROBUSTESSE THERMIQUE ACCRUE
الملخص:
(EN) The invention relates to a projection exposure apparatus for semiconductor lithography, comprising - a light source for generating optical used radiation by way of which structures, which are arranged on a reticle, can be imaged onto a wafer, - a plurality of optical elements (M1, M2) for guiding and manipulating the used radiation, - a plurality of position sensors (24, 25) for determining the position of at least some of the optical elements (M1, M2), - wherein at least some of the position sensors (24, 25) are arranged on a measurement structure that is at least partially decoupled mechanically and/or thermally from the further components of the projection exposure apparatus. The measurement structure has at least two mechanically decoupled substructures (22, 23) here, the first substructure (22) of which has a lower coefficient of thermal expansion than the second substructure (23), and the second substructure (23) has a greater stiffness than the first substructure (22).
(FR) L'invention concerne un appareil d'exposition par projection destiné à une lithographie à semi-conducteurs, comprenant - une source de lumière permettant de générer un rayonnement optique utilisé par l'intermédiaire duquel des structures, qui sont agencées sur un réticule, peuvent être imagées sur une tranche, - une pluralité d'éléments optiques (M1, M2) permettant de guider et de manipuler le rayonnement utilisé, - une pluralité de capteurs de position (24, 25) permettant de déterminer la position d'au moins certains des éléments optiques (M1, M2), au moins certains des capteurs de position (24, 25) sont disposés sur une structure de mesure qui est au moins partiellement découplée mécaniquement et/ou thermiquement des autres composants de l'appareil d'exposition par projection. La structure de mesure comporte au moins deux sous-structures mécaniquement découplées (22, 23), la première sous-structure (22) dont le coefficient de dilatation thermique est inférieur à celui de la deuxième sous-structure (23), et la deuxième sous-structure (23) présente une rigidité supérieure à celle de la première sous-structure (22).
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الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: الإنكليزية (EN)
لغة الإيداع: الإنكليزية (EN)