بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2018061334) AVALANCHE PHOTODIODE
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2018/061334 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2017/021652
تاريخ النشر: 05.04.2018 تاريخ الإيداع الدولي: 12.06.2017
الفصل الثاني من الطلب المودع: 13.12.2017
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 31/107 (2006.01)
Description not available in lang ar
المودعون:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
المخترعون:
瀧本 貴博 TAKIMOTO, Takahiro; --
夏秋 和弘 NATSUAKI, Kazuhiro; --
内田 雅代 UCHIDA, Masayo; --
الوكيل:
鮫島 睦 SAMEJIMA, Mutsumi; JP
山崎 敏行 YAMASAKI, Toshiyuki; JP
بيانات الأولوية:
2016-19207429.09.2016JP
العنوان (EN) AVALANCHE PHOTODIODE
(FR) PHOTODIODE À AVALANCHE
(JA) アバランシェフォトダイオード
الملخص:
(EN) This avalanche photodiode includes: a first-conductivity-type semiconductor layer (2) that is formed in a semiconductor substrate (1) of a first conductivity type; a first second-conductivity-type semiconductor layer (3) that is formed so as to surround the first-conductivity-type semiconductor layer (2) with a space therebetween in a plan view of the substrate; a second second-conductivity-type semiconductor layer (5) that is formed at a position deeper than that of the first-conductivity-type semiconductor layer (2) so as to be in contact with the bottom of the first-conductivity-type semiconductor layer (2); and a third second-conductivity-type semiconductor layer (6) that is formed at a position deeper than that of the second second-conductivity-type semiconductor layer (5) so as to be in contact with the bottom of the second second-conductivity-type semiconductor layer (5). The first-conductivity-type semiconductor layer (2) and the second second-conductivity-type semiconductor layer (5) form an avalanche junction. The first and third second-conductivity-type semiconductor layers (3, 6) are connected such that the semiconductor substrate (1) and the first-conductivity-type semiconductor layer (2) are electrically separated.
(FR) Une photodiode à avalanche comprend : une couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) formée dans un substrat semi-conducteur (1) d'un premier type de conductivité ; une première couche semi-conductrice de second type de conductivité (3) qui est formée de manière à entourer la couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2), un espace étant ménagé entre celles-ci dans une vue en plan du substrat ; une deuxième couche semi-conductrice de second type de conductivité (5) qui est formée à une position plus profonde que la position de la couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) de manière à être en contact avec le fond de la couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) ; et une troisième couche semi-conductrice de second type de conductivité (6) qui est formée à une position plus profonde que la position de la deuxième couche semi-conductrice de second type de conductivité (5) de manière à être en contact avec le fond de la deuxième couche semi-conductrice de second type de conductivité (5). La couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) et la deuxième couche semi-conductrice de second type de conductivité (5) forment une jonction à avalanche. Les première et troisième couches semi-conductrices de second type de conductivité (3, 6) sont connectées de telle sorte que le substrat semi-conducteur (1) et la couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) sont électriquement séparés.
(JA) アバランシェフォトダイオードは、第1導電型の半導体基板(1)内に形成された第1導電型半導体層(2)と、基板平面視において第1導電型半導体層(2)を間隔をあけて囲むように形成された第1の第2導電型半導体層(3)と、第1導電型半導体層(2)よりも深い位置に、第1導電型半導体層(2)の底部に接するように形成された第2の第2導電型半導体層(5)と、第2の第2導電型半導体層(5)よりも深い位置に、第2の第2導電型半導体層(5)の底部に接するように形成された第3の第2導電型半導体層(6)を有する。第1導電型半導体層(2)と第2の第2導電型半導体層(5)とでアバランシェ接合を形成する。半導体基板(1)と第1導電型半導体層(2)とが電気的に分離されるように第1,第3の第2導電型半導体層(3,6)を接続する。
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)