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1. (WO2018060570) STRUCTURE COMPRISING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR ISLANDS AND PROCESS FOR MAKING SUCH A STRUCTURE
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رقم النشر: WO/2018/060570 رقم الطلب الدولي: PCT/FR2017/052529
تاريخ النشر: 05.04.2018 تاريخ الإيداع الدولي: 21.09.2017
الفصل الثاني من الطلب المودع: 27.03.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 21/20 (2006.01)
Description not available in lang ar
المودعون:
SOITEC [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques 38190 Bernin, FR
المخترعون:
SOTTA, David; FR
KONONCHUK, Oleg; FR
BETHOUX, Jean-Marc; FR
الوكيل:
BREESE, Pierre; FR
بيانات الأولوية:
165934329.09.2016FR
العنوان (EN) STRUCTURE COMPRISING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR ISLANDS AND PROCESS FOR MAKING SUCH A STRUCTURE
(FR) STRUCTURE COMPRENANT DES ILOTS SEMI-CONDUCTEURS MONOCRISTALLINS, PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TELLE STRUCTURE
الملخص:
(EN) The invention relates to a structure (10) for producing at least one active layer made of a III-V material (6), comprising a substrate composed of a carrier (2) having a main face, of a dielectric layer (3) located on the main face of the carrier, and of a plurality of single-crystal semiconductor islands (4) located directly on the dielectric layer (3), the islands having an upper surface in order to serve as seed for the growth of the active layer. According to the invention, the structure comprises a bonding layer (5) located between the single-crystal semiconductor islands (4), directly on the portion of the dielectric layer (3) that is not covered by the islands (4), without masking the upper surface of the islands (4), so that the dielectric layer (3) is no longer exposed to its environment.
(FR) L'invention porte sur une structure (10) pour l'élaboration d'au moins une couche active en matériau III-V (6) comprenant un substrat formé d'un support (2) présentant une face principale, d'une couche diélectrique (3) disposée sur la face principale du support, et d'une pluralité d'îlots semi-conducteurs monocristallins (4) disposée directement sur la couche diélectrique (3), les îlots présentant une surface supérieure pour servir de germe à la croissance de la couche active. Selon l'invention la structure comprend une couche d'accroché (5) disposée entre les îlots semi-conducteurs monocristallins (4), directement sur la portion de la couche diélectrique (3) qui n'est pas recouverte par les îlots (4), sans masquer la surface supérieure des îlots (4), de sorte que la couche diélectrique (3) ne soit plus exposée à son environnement.
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الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (الأريبو) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
المكتب الأوروبي الآسيوي للبراءات (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: فرنسي (FR)
لغة الإيداع: فرنسي (FR)