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1. (WO2018047257) SEMICONDUCTOR DEVICE
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي   

رقم النشر: WO/2018/047257 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2016/076331
تاريخ النشر: 15.03.2018 تاريخ الإيداع الدولي: 07.09.2016
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H01R 11/01 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
المخترعون:
藤田 重人 FUJITA, Shigeto; JP
稲口 隆 INAGUCHI, Takashi; JP
الوكيل:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
بيانات الأولوية:
العنوان (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
الملخص:
(EN) This semiconductor device is provided with an upper electrode which is provided above a lower electrode, a semiconductor chip which is provided between the lower electrode and the upper electrode, a pressure pad which is provided between the lower electrode and the upper electrode overlapping the semiconductor chip, and a spiral conductor which is provided between the lower electrode and the upper electrode overlapping the semiconductor chip and the pressure pad. The spiral conductor comprises an upper spiral conductor and a lower spiral conductor which contacts the bottom end of the upper spiral conductor and faces the upper spiral conductor. By forming a groove in the upper spiral conductor and the lower spiral conductor, the direction of current flowing through the upper spiral conductor and the direction of current flowing through the lower spiral conductor can be made to coincide in planar view.
(FR) Le dispositif à semi-conducteurs selon l’invention comporte: une électrode supérieure située au-dessus d'une électrode inférieure; une puce semiconductrice située entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure; des tampons de pression situés sur la puce semiconductrice, entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure; et un corps conducteur en spirale situé, avec la puce semiconductrice et les tampons de pression, entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure. Le corps conducteur en spirale possède une partie corps conducteur en spirale côté supérieur, et une partie corps conducteur en spirale côté inférieur faisant face à la partie corps conducteur en spirale côté supérieur et connectée à cette partie corps conducteur en spirale côté supérieur au niveau de la partie inférieure de celle-ci. Grâce à la formation d'une rainure dans la partie corps conducteur en spirale côté supérieur et dans la partie corps conducteur en spirale côté inférieure, dans une vue en plan, la direction du courant à l’intérieur de la partie corps conducteur en spirale côté supérieur coïncide avec la direction du courant à l’intérieur de la partie corps conducteur en spirale côté inférieur.
(JA) 下電極の上方に設けられた上電極と、該下電極と該上電極の間に設けられた半導体チップと、該下電極と該上電極の間に該半導体チップと重ねて設けられたプレッシャパッドと、該下電極と該上電極の間に該半導体チップおよび該プレッシャパッドと重ねて設けられたスパイラル導体と、を備え、該スパイラル導体は、上側スパイラル導体と、該上側スパイラル導体の下端に接し該上側スパイラル導体に対向する下側スパイラル導体とを有し、該上側スパイラル導体と該下側スパイラル導体に溝を形成することで、平面視で、該上側スパイラル導体を流れる電流の向きと、該下側スパイラル導体を流れる電流の向きを一致させた。
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الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)