بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2018043140) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2018/043140 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2017/029494
تاريخ النشر: 08.03.2018 تاريخ الإيداع الدولي: 17.08.2017
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01) ,H04N 9/07 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
المخترعون:
松本 晃 MATSUMOTO Akira; JP
田舎中 博士 TAYANAKA Hiroshi; JP
الوكيل:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
بيانات الأولوية:
2016-16759130.08.2016JP
العنوان (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子、および電子装置
الملخص:
(EN) The present technique relates to: a solid-state imaging element which enables the reduction in the chip size of a CIS that uses an organic photoelectric conversion film; and an electronic device. A solid-state imaging element according to one embodiment of the present invention is characterized by being provided with: first and second substrates that are laminated on each other; and a first organic photoelectric conversion film that is formed on the first substrate. This solid-state imaging element is also characterized in that a latch circuit is formed on the second substrate. The present technique is applicable, for example, to a backside-illuminated CIS.
(FR) La présente technique concerne : un élément d'imagerie à semi-conducteurs qui permet la réduction de la taille de puce d'un CIS qui utilise un film de conversion photoélectrique organique; et un dispositif électronique. Un élément d'imagerie à semi-conducteurs selon un mode de réalisation de la présente invention est caractérisé en ce qu'il comprend: des premier et second substrats qui sont stratifiés l'un sur l'autre; et un premier film de conversion photoélectrique organique qui est formé sur le premier substrat. Cet élément d'imagerie à semi-conducteurs est également caractérisé en ce qu'un circuit de verrouillage est formé sur le second substrat. La présente technique est applicable, par exemple, à un dispositif CIS rétro-éclairé.
(JA) 本技術は、有機光電変換膜を用いたCISのチップサイズを小型化することができるようにする固体撮像素子、および電子装置に関する。 本技術の第1の側面である固体撮像素子は、積層されている第1および第2基板と、前記第1基板の上に形成されている第1有機光電変換膜とを備え、前記第2基板には、Latch回路が形成されていることを特徴とする。本技術は、例えば、裏面照射型のCISに適用できる。
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)