قيد المعالجة

الرجاء الانتظار...

الإعدادات

الإعدادات

1. WO2018020640 - SEMICONDUCTOR DEVICE

رقم النشر WO/2018/020640
تاريخ النشر 01.02.2018
رقم الطلب الدولي PCT/JP2016/072158
‫‫‫‫‫‫‫‫‫تاريخ الإيداع الدولي‬‬‬‬‬‬‬‬‬ 28.07.2016
التصنيف الدولي للبراءات
Description not available in lang ar
Description not available in lang ar
H01L 23/48 (2006.01)
H01L 21/52 (2006.01)
التصنيف التعاوني للبراءات
H01L 21/52
H01L 2224/26155
H01L 2224/29155
H01L 2224/30181
H01L 2224/32245
H01L 2224/33181
مودعي الطلبات
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
المخترعين
  • 中田 洋輔 NAKATA, Yosuke; JP
  • 佐々木 太志 SASAKI, Taishi; JP
الوكلاء
  • 高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
  • 高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
بيانات الأولوية
لغة النشر اليابانية (JA)
لغة إيداع الطلب اليابانية (JA)
الدول المعيّنة
الاسم
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
الملخص
(EN)
A semiconductor chip (3) is bonded to an upper surface of an electrode substrate (1) via a first solder (2). A lead frame (5) is bonded to an upper surface of the semiconductor chip (3) via a second solder (4). Between the electrode substrate (1) and the semiconductor chip (3), an intermediate plate (6) is provided in the first solder (2). The yield strength of the intermediate plate (6) is higher than that of the electrode substrate (1) and that of the first solder (2) within the service temperature range of the semiconductor device.
(FR)
Une puce semi-conductrice (3) est liée à une surface supérieure d'un substrat d'électrode (1) par l'intermédiaire d'une première soudure (2). Une grille de connexion (5) est liée à une surface supérieure de la puce semi-conductrice (3) par l'intermédiaire d'une seconde soudure (4). Entre le substrat d'électrode (1) et la puce semi-conductrice (3), une plaque intermédiaire (6) est prévue dans la première soudure (2). La limite d'élasticité de la plaque intermédiaire (6) est supérieure à celle du substrat d'électrode (1) et celle de la première soudure (2) dans la plage de température de service du dispositif à semi-conducteur.
(JA)
電極基板(1)の上面に第1のはんだ(2)を介して半導体チップ(3)が接合されている。半導体チップ(3)の上面に第2のはんだ(4)を介してリードフレーム(5)が接合されている。電極基板(1)と半導体チップ(3)との間において第1のはんだ(2)中に中間板(6)が設けられている。中間板(6)の耐力は、半導体装置の使用温度範囲の全てにおいて電極基板(1)及び第1のはんだ(2)の耐力よりも大きい。
أحدث البيانات الببليوغرافية المسجلة لدى المكتب الدولي