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1. (WO2017140083) OPTIMIZATION METHOD FOR ALIGNMENT FILM THICKNESS UNIFORMITY AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL
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رقم النشر: WO/2017/140083 رقم الطلب الدولي: PCT/CN2016/089745
تاريخ النشر: 24.08.2017 تاريخ الإيداع الدولي: 12.07.2016
التصنيف الدولي للبراءات:
G02F 1/1337 (2006.01) ,G02F 1/1362 (2006.01) ,G03F 1/32 (2012.01) ,H01L 21/77 (2017.01)
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المودعون:
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 No.9-2, Tangming Road, Guangming Shenzhen, Guangdong 518132, CN
المخترعون:
豆婷 DOU, Ting; CN
李强 LI, Qiang; CN
الوكيل:
深圳市铭粤知识产权代理有限公司 MING & YUE INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 中国广东省深圳市南山区南山街道前海路泛海城市广场2栋604室 Room 604 Building 2, Oceanwide City Square, Qianhai Road, Nanshan Street, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518066, CN
بيانات الأولوية:
201610091187.X18.02.2016CN
العنوان (EN) OPTIMIZATION METHOD FOR ALIGNMENT FILM THICKNESS UNIFORMITY AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL
(FR) PROCÉDÉ D'OPTIMISATION POUR UNIFORMITÉ D'ÉPAISSEUR DE FILM D'ALIGNEMENT ET PANNEAU D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(ZH) 配向膜厚度均一性的优化方法及液晶显示面板
الملخص:
(EN) An optimization method for thickness uniformity of an alignment film (600). The optimization method comprises the following steps: providing a thin film transistor array substrate (2) deposited with a passivation layer (100); coating the passivation layer (100) with photoresists (200); dividing the thin film transistor array substrate (2) into different areas, and performing halftone mask exposure, ordinary mask exposure, developing and etching on photoresists (200) in different areas respectively; after etching, removing the photoresists (200), and depositing an ITO film layer (500); performing etching on the ITO film layer (500) so as to obtain the thin film transistor array substrate (2) on which the upper surface of the ITO film layer (500) and that of the passivation layer (100) are located in the same plane; and coating the upper surface of the ITO film layer (500) and that of the passivation layer (100) with an alignment film (600). According to the optimization method, as the upper surface of the ITO film layer (500) and that of the passivation layer (100) are located in the same plane, the whole alignment film spread on the upper surfaces of the ITO film layer and the passivation layer is uniform in thickness, and the display quality of the LCD panel is improved.
(FR) La présente invention concerne un procédé d'optimisation pour l'uniformité d'épaisseur d'un film d'alignement (600). Le procédé d'optimisation comprend les étapes suivantes : fourniture d'un substrat de matrice de transistors à couche mince (2) déposé avec une couche de passivation (100); revêtement de la couche de passivation (100) avec des résines photosensibles (200); division du substrat de matrice de transistors à couche mince (2) en différentes zones, et conduite d'une exposition à un masque tramé, exposition à un masque ordinaire, développement et gravure sur les résines photosensibles (200) dans différentes zones, respectivement; après la gravure, retrait des résines photosensibles (200), et dépôt d'une couche de film ITO (500); conduite d'une gravure sur la couche de film ITO (500) de façon à obtenir le substrat de matrice de transistors à couche mince (2) sur lequel la surface supérieure de la couche de film ITO (500) et celle de la couche de passivation (100) sont situées dans le même plan; et revêtement de la surface supérieure de la couche de film ITO (500) et celle de la couche de passivation (100) avec un film d'alignement (600). Selon le procédé d'optimisation, lorsque la surface supérieure de la couche de film ITO (500) et celle de la couche de passivation (100) sont situées dans le même plan, le film d'alignement total étalé sur les surfaces supérieures de la couche de film ITO et la couche de passivation présente une épaisseur uniforme, et la qualité d'affichage du panneau LCD est améliorée.
(ZH) 一种配向膜(600)厚度均一性的优化方法,包括以下步骤:提供沉积有钝化层(100)的薄膜晶体管阵列基板(2);在钝化层(100)上涂布光阻(200);将薄膜晶体管阵列基板(2)划分为不同区域,对处于不同区域的光阻(200)分别进行半色调掩膜曝光和普通掩膜曝光、显影、刻蚀;刻蚀后,去除光阻(200)、沉积ITO膜层(500);对ITO膜层(500)进行刻蚀,得到ITO膜层(500)上表面与钝化层(100)上表面处于同一平面的薄膜晶体管阵列基板(2);在ITO膜层(500)上表面和钝化层(100)上表面涂布配向膜(600)。由于ITO膜层(500)上表面与钝化层(100)上表面处于同一平面,使得涂布在其上方的整面配向膜(600)厚度均一,因而有助于提高液晶显示面板的显示品质。
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