بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2017002384) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي

رقم النشر: WO/2017/002384 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2016/053541
تاريخ النشر: 05.01.2017 تاريخ الإيداع الدولي: 05.02.2016
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 21/336 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,C23C 14/58 (2006.01) ,H01L 21/363 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
المخترعون:
宮永 美紀 MIYANAGA, Miki; JP
綿谷 研一 WATATANI, Kenichi; JP
粟田 英章 AWATA, Hideaki; JP
الوكيل:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島二丁目2番7号 中之島セントラルタワー Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
بيانات الأولوية:
2015-13371702.07.2015JP
العنوان (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体デバイスおよびその製造方法
الملخص:
(EN) Provided is a semiconductor device that includes: a gate electrode (2); a channel layer (7) that is disposed in a region directly below or directly above the gate electrode (2); a source electrode (5) and drain electrode (6), which are disposed in contact with the channel layer (7); and a first insulating layer (3) that is disposed between the gate electrode (2) and the channel layer (7). The channel layer (7) includes a first oxide semiconductor, the source electrode (5) and/or drain electrode (6) includes a second oxide semiconductor, and the first oxide semiconductor and the second oxide semiconductor contain indium, tungsten, and zinc. A method for manufacturing the semiconductor device is also provided.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs qui comprend : une électrode de grille (2); une couche de canal (7) qui est disposée dans une région directement au-dessous ou directement au-dessus de l'électrode de grille (2); une électrode de source (5) et une électrode de drain (6) qui sont disposées en contact avec la couche de canal (7); et une première couche isolante (3) qui est disposée entre l'électrode de grille (2) et la couche de canal (7). La couche de canal (7) comprend un premier oxyde semi-conducteur, l'électrode de source (5) et/ou l'électrode de drain (6) comprend un second oxyde semi-conducteur, et le premier et le second oxyde semi-conducteur contiennent de l'indium, du tungstène et du zinc. La présente invention concerne également un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteurs.
(JA) ゲート電極(2)と、ゲート電極(2)の直下領域または直上領域に配置されるチャネル層(7)と、チャネル層(7)に接して配置されるソース電極(5)およびドレイン電極(6)と、ゲート電極(2)とチャネル層(7)との間に配置される第1絶縁層(3)とを含み、チャネル層(7)は第1酸化物半導体を含み、ソース電極(5)およびドレイン電極(6)の少なくとも一方は第2酸化物半導体を含み、第1酸化物半導体および第2酸化物半導体は、インジウム、タングステンおよび亜鉛を含有する半導体デバイス、ならびにその製造方法が提供される。
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (الأريبو) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
المكتب الأوروبي الآسيوي للبراءات (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)
:نشرت أيضا باسم
EP3159918KR1020170032430CN106796888US20170222058