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1. (WO2016193968) METROLOGY INSPECTION APPARATUS
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رقم النشر: WO/2016/193968 رقم الطلب الدولي: PCT/IL2016/050555
تاريخ النشر: 08.12.2016 تاريخ الإيداع الدولي: 29.05.2016
التصنيف الدولي للبراءات:
G01N 23/22 (2006.01) ,G01N 21/00 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
XWINSYS LTD. [IL/IL]; 6 Haticshoret Street Rama Gabriel 20307049 Migdal Haemek, IL
المخترعون:
REINIS, Doron; IL
GEFFEN, Michael; IL
PERETZ, Roni; IL
SMITH, Colin; IL
الوكيل:
LUDAR, Aryeh; Pastel LTD. 39 Barkan Street P O Box 84 2014200 Yuvalim, IL
بيانات الأولوية:
62/169,01801.06.2015US
العنوان (EN) METROLOGY INSPECTION APPARATUS
(FR) APPAREIL D'INSPECTION DE MÉTROLOGIE
الملخص:
(EN) METROLOGY INSPECTION APPARATUS [001]The present disclosure provides a method and an apparatus for apparatus for inspecting a semiconductor wafer for abnormalities by accurately measuring elemental concentration at a target area. The apparatus includes an x-ray imaging subsystem for measuring an elemental composition at the target area of the semiconductor wafer. The apparatus further includes an edxrf subsystem for measuring an elemental concentration at the target area of the semiconductor wafer. The elemental concentration may be calibrated by first correlating the elemental concentration measurements obtained using x-ray imaging system for the target area with the elemental concentration measurements obtained using the edxrf subsystem for the target area to receive an augmented and accurate elemental concentration measurement for the target area of the semiconductor wafer.
(FR) La présente invention concerne un procédé et un appareil permettant d'inspecter une tranche de semi-conducteur par rapport à des anomalies en mesurant précisément la concentration élémentaire au niveau d'une zone cible. L'appareil comprend : un sous-système d'imagerie par rayons X conçu pour mesurer une composition élémentaire au niveau de la zone cible de la tranche de semi-conducteur ; et un sous-système edxrf conçu pour mesurer une concentration élémentaire au niveau de la zone cible de la tranche de semi-conducteur. La concentration élémentaire peut être étalonnée en corrélant les mesures des concentrations élémentaires obtenues en utilisant un système d'imagerie par rayons X pour la zone cible aux mesures des concentrations élémentaires obtenues en utilisant le sous-système edxrf pour la zone cible de façon à recevoir une mesure de concentration élémentaire augmentée et précise pour la zone cible de la tranche de semi-conducteur.
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الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: الإنكليزية (EN)
لغة الإيداع: الإنكليزية (EN)