بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2016186046) SUBSTRATE DESTATICIZING MECHANISM AND VACUUM TREATMENT APPARATUS USING SAME
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي   

رقم النشر: WO/2016/186046 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2016/064361
تاريخ النشر: 24.11.2016 تاريخ الإيداع الدولي: 13.05.2016
التصنيف الدولي للبراءات:
C23C 14/58 (2006.01) ,C23C 16/56 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
المخترعون:
廣野 貴啓 HIRONO Takayoshi; JP
الوكيل:
阿部 英樹 ABE, Hideki; JP
بيانات الأولوية:
2015-09957415.05.2015JP
العنوان (EN) SUBSTRATE DESTATICIZING MECHANISM AND VACUUM TREATMENT APPARATUS USING SAME
(FR) MÉCANISME DE TRAITEMENT ANTISTATIQUE DE SUBSTRAT ET APPAREIL DE TRAITEMENT SOUS VIDE LE METTANT EN ŒUVRE
(JA) 基板除電機構及びこれを用いた真空処理装置
الملخص:
(EN) Provided is a technique which is used for, for example, devices for forming a film on a film-like substrate in vacuum and allows efficient destaticization using a simple structure without affecting a treated region. The present invention also provides a substrate destaticizing mechanism which destaticizes, by magnetron discharge, a film formation film 10 being transported in vacuum. According to the present invention, the substrate destaticizing mechanism comprises: a housing 51 to which a discharge gas is introduced; linear discharge electrodes 53 which are disposed perpendicular to the direction of transportation of the substrate in the housing 51 and to which a predetermined voltage is applied; and magnets 54A disposed near the discharge electrodes 53. The magnets 54A are disposed so as to cause an electrical discharge according to the distribution of the charge amount in the film formation film 10.
(FR) Cette invention concerne une technique qui est utilisée, par exemple, pour des dispositifs de formation d'un film sur un substrat de type film sous vide et permet d'effectuer un traitement antistatique efficace à l'aide d'une structure simple sans affecter une région traitée. L'invention concerne en outre un mécanisme de traitement antistatique de substrat qui effectue un traitement antistatique, par décharge de magnétron, d'un film de formation de film (10) transporté dans le vide. Selon l'invention, ledit mécanisme de traitement antistatique de substrat comprend : un boîtier (51) dans lequel est introduit un gaz de décharge ; des électrodes de décharge linéaires (53) qui sont disposées perpendiculairement à la direction de transport du substrat dans le boîtier (51) et auxquelles est appliquée une tension prédéterminée ; et des aimants (54A) disposés à proximité des électrodes de décharge (53). Les aimants 54A sont disposés de manière à provoquer une décharge électrique en fonction de la distribution de la quantité de charge dans le film de formation de film.
(JA)  真空中でフィルム状の基板等に成膜等の処理を行う装置において、処理領域に影響を与えることなく、簡素な構成で効率良く除電を行うことができる技術を提供する。本発明は、真空中で搬送される成膜用フィルム10に対してマグネトロン放電によって除電を行う基板除電機構である。本発明では、放電ガスが導入されるハウジング51と、ハウジング51内において基板搬送方向に対して直交するように配置され、所定の電圧が印加される直線状の放電電極53と、放電電極53の近傍に配置される磁石54Aとを有し、成膜用フィルム10における帯電量の分布に応じて放電を発生させるように磁石54Aが配置されている。
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)