بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2015045164) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي   

رقم النشر: WO/2015/045164 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2013/076572
تاريخ النشر: 02.04.2015 تاريخ الإيداع الدولي: 30.09.2013
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/50 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 東京都千代田区外神田四丁目14番1号 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980, JP
المخترعون:
廣地 志有 HIROCHI, Yukitomo; JP
豊田 一行 TOYODA, Kazuyuki; JP
盛満 和広 MORIMITSU, Kazuhiro; JP
佐藤 武敏 SATO, Taketoshi; JP
山本 哲夫 YAMAMOTO, Tetsuo; JP
بيانات الأولوية:
العنوان (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
الملخص:
(EN) The present invention is a substrate processing device which alternately supplies a first processing gas and a plasmatized second processing gas to a processing container so as to process a substrate, and is provided with: a first gas supply system which supplies a first processing gas; a second gas supply system which supplies a second processing gas; a plasma unit which is placed upstream of a processing container, and which plasmatizes at least the second processing gas; and a control unit which controls the first gas supply system and the second gas supply system so that the first processing gas and the second processing gas are supplied alternately, and which controls the plasma unit so as to perform application of power necessary for plasmatization of the second processing gas from prior to starting of the supply of the second processing gas.
(FR) La présente invention porte sur un dispositif de traitement de substrat qui fournit de manière alternée un premier gaz de traitement et un second gaz de traitement transformé en plasma à un conteneur de traitement afin de traiter un substrat, et comporte : un premier système de fourniture de gaz qui fournit un premier gaz de traitement ; un second système de fourniture de gaz qui fournit un second gaz de traitement ; une unité de plasma qui est placée en amont d’un conteneur de traitement, et qui transforme en plasma au moins le second gaz de traitement ; et une unité de commande qui commande le premier système de fourniture de gaz et le second système de fourniture de gaz de telle sorte que le premier gaz de traitement et le second gaz de traitement sont fournis de manière alternée, et qui commande l’unité de plasma afin de réaliser une application de puissance nécessaire pour transformer en plasma le second gaz de traitement avant le début de la fourniture du second gaz de traitement.
(JA) 第1の処理ガスと、プラズマ化された第2の処理ガスとを交互に処理容器に供給して基板を処理する基板処理装置であって、前記第1の処理ガスを供給する第1のガス供給系と、前記第2の処理ガスを供給する第2のガス供給系と、前記処理容器の上流に配置され、少なくとも前記第2の処理ガスをプラズマ化するプラズマユニットと、前記第1の処理ガスと前記第2の処理ガスとが交互に供給されるように前記第1のガス供給系と前記第2のガス供給系を制御すると共に、前記第2の処理ガスの供給が開始される前から前記第2の処理ガスのプラズマ化に必要な電力印加を実行するように前記プラズマユニットを制御する制御部と、を備える。
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)