البحث في مجموعات البراءات الوطنية والدولية
بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2008062642) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي

رقم النشر: WO/2008/062642 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2007/071159
تاريخ النشر: 29.05.2008 تاريخ الإيداع الدولي: 24.10.2007
التصنيف الدولي للبراءات:
H05B 33/26 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01) ,H01L 51/40 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/10 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
日本電気株式会社 NEC Corporation [JP/JP]; 〒1088001 東京都港区芝五丁目7番1号 Tokyo 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP (AllExceptUS)
独立行政法人産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology [JP/JP]; 〒1008921 東京都千代田区霞が関1丁目3番1号 Tokyo 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921, JP (AllExceptUS)
日浦英文 HIURA, Hidefumi [JP/JP]; JP (UsOnly)
東口達 TOGUCHI, Satoru [JP/JP]; JP (UsOnly)
多田哲也 TADA, Tetsuya [JP/JP]; JP (UsOnly)
金山敏彦 KANAYAMA, Toshihiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
المخترعون:
日浦英文 HIURA, Hidefumi; JP
東口達 TOGUCHI, Satoru; JP
多田哲也 TADA, Tetsuya; JP
金山敏彦 KANAYAMA, Toshihiko; JP
الوكيل:
池田憲保 IKEDA, Noriyasu; 〒1000011 東京都千代田区内幸町1丁目2番2号 日比谷ダイビル Tokyo Hibiya Daibiru Bldg., 2-2, Uchisaiwaicho 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000011, JP
بيانات الأولوية:
2006-31505022.11.2006JP
العنوان (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
الملخص:
(EN) A semiconductor device having such a structure as a light emitting layer of an organic matter or the like is sandwiched between a work function control single layer carbon nanotube cathode including donor of low ionization potential and a work function control single layer carbon nanotube anode including accepter of large electron affinity. A semiconductor device represented by an organic field effect light emitting element which can reduce emission start voltage, enhance characteristics/function such as emission efficiency, enhance reliability such as the lifetime, and enhance productivity such as reduction in fabrication cost is provided along with its fabrication process.
(FR) L'invention concerne un dispositif semi-conducteur ayant une structure telle qu'une couche électroluminescente d'une matière organique ou similaire est prise en sandwich entre une cathode à nano tubes de carbone à une seule couche de commande de travail d'extraction comprenant un donneur à faible potentiel d'ionisation et une anode à nano tubes de carbone à une seule couche de commande de travail d'extraction comprenant un accepteur à affinité électronique importante. L'invention concerne également un dispositif semi-conducteur représenté par un élément d'émission de lumière à effet de champ organique, qui peut réduire la tension de début d'émission, augmenter les caractéristiques/la fonction telles que l'efficacité d'émission, augmenter la fiabilité telle que la durée de vie, et augmenter la productivité, de telle sorte que la réduction du coût de fabrication, ainsi que son procédé de fabrication.
(JA)  有機物などの発光層が、イオン化ポテンシャルが小さいドナーを内包させた仕事関数制御単層カーボンナノチューブ陰極と電子親和力の大きいアクセプターを内包させた仕事関数制御単層カーボンナノチューブ陽極に挟まれた構造を持つ半導体装置である。発光開始電圧の低減、高発光効率などの特性・性能向上、長寿命化などの信頼性向上、製造コスト削減などの生産性向上が可能となる有機電界効果発光素子に代表される半導体装置とその製法を提供する。
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (الأريبو) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
المكتب الأوروبي الآسيوي للبراءات (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)
:نشرت أيضا باسم
JPWO2008062642US20100051902JP5326093