بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2006068374) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي

رقم النشر: WO/2006/068374 رقم الطلب الدولي: PCT/KR2005/004118
تاريخ النشر: 29.06.2006 تاريخ الإيداع الدولي: 05.12.2005
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 33/04 (2010.01) ,H01L 33/12 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 33/42 (2010.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
LG Innotek Co., Ltd [KR/KR]; 14th F1. Hansol Bldg., 736-1 Yoksam-dong, Kangnam-ku Seoul 135-983, KR (AllExceptUS)
LEE, Suk Hun [KR/KR]; KR (UsOnly)
المخترعون:
LEE, Suk Hun; KR
الوكيل:
HAW, Yong Noke; 8th F1. Songchon Bldg., 642-15 Yoksam-dong, Kangnam-ku Seoul 135-080, KR
بيانات الأولوية:
10-2004-011108523.12.2004KR
العنوان (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
الملخص:
(EN) Provided is a nitride semiconductor light emitting device including: a substrate; a first buffer layer formed above the substrate; an indium-containing second buffer layer formed above the first buffer layer; an indium-containing third buffer layer formed above the second buffer layer; a first nitride semiconductor layer formed above the third buffer layer; an active layer formed above the first nitride semiconductor layer; and a second nitride semiconductor layer formed above the active layer. According to the present invention, the crystal defects are further suppressed, so that the crystallinity of the active layer is enhanced, and the optical power and the operation reliability are enhanced.
(FR) L'invention porte sur un dispositif électroluminescent semi-conducteur de nitrure comprenant : un substrat ; une première couche tampon formée sur le substrat ; une deuxième couche tampon contenant de l'indium formée sur la première couche tampon ; une troisième couche tampon contenant de l'indium formée sur la deuxième couche tampon ; une première couche semi-conductrice de nitrure formée sur la troisième couche tampon ; une couche active formée sur la première couche semi-conductrice de nitrure ; et une deuxième couche semi-conductrice de nitrure formée sur la couche active. Selon l'invention, les défauts cristallins sont ainsi supprimés si bien que la cristallinité de la couche active est améliorée et la puissance optique ainsi que la fiabilité de fonctionnement sont améliorées.
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (الأريبو) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
المكتب الأوروبي الآسيوي للبراءات (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: الإنكليزية (EN)
لغة الإيداع: كوري (KO)
:نشرت أيضا باسم
EP1829122JP2008526012US20080142781US20110318857CN101073161IN772/MUMNP/2007