WIPO logo
الهاتف الخلوي | Deutsch | English | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 |
PATENTSCOPE

البحث في مجموعات البراءات الوطنية والدولية
World Intellectual Property Organization
البحث
 
تصفّح
 
الخيارات
 
أخبار
 
تسجيل الدخول
 
مساعدة
 
ترجمة آلية
1. (WO2006046884) MEMORY CELL
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي   

رقم النشر:    WO/2006/046884    رقم الطلب الدولي:    PCT/RU2005/000228
تاريخ النشر: 04.05.2006 تاريخ الإيداع الدولي: 27.04.2005
الفصل الثاني من الطلب المودع:    08.02.2006    
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 27/115 (2006.01)
المودعون: TSOI, Bronya [RU/RU]; (RU).
LAVRENTIEV, Vladimir Vladimirovich [RU/RU]; (RU) (For US Only).
KARTASHOV, Eduard Mikhailovich [RU/RU]; (RU) (For US Only).
SHEVELEV, Valentin Vladimirovich [RU/RU]; (RU) (For US Only)
المخترعون: TSOI, Bronya; (RU).
LAVRENTIEV, Vladimir Vladimirovich; (RU).
KARTASHOV, Eduard Mikhailovich; (RU).
SHEVELEV, Valentin Vladimirovich; (RU)
الوكيل: FIRM 'PATENT SERVICES CENTRE'; ul. Miklukho-Maklaya, 55a Moscow, 117279 (RU)
بيانات الأولوية:
2004131058 26.10.2004 RU
العنوان (EN) MEMORY CELL
(FR) CELLULE DE MEMOIRE
(RU) ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ
الملخص: front page image
(EN)The invention relates to microelectronic engineering and can be used for producing storing devices. The inventive memory cell is provided with a memory element comprising a first electrode, a second electrode and a dielectric layer disposed between said electrodes, wherein said dielectric layer is made from integrated in a stack N individual uniform films having substantially equal thickness d<80 mkm and N>1. The inventive embodiment of the dielectric layer disposed between the electrodes makes it possible to increase the chargeability thereof and to keep electric charges between electrodes over a long-term period.
(FR)La présente invention relève de la micro-électronique et peut servir à fabriquer des dispositifs de mémoire. La cellule de mémoire selon l'invention comprend un élément mémoire possédant une première électrode, une seconde électrode et une couche diélectrique placée entre ces dernières. Selon l'invention, la couche diélectrique est constituée de N films uniformes distincts, qui sont empilés et présentent une épaisseur d sensiblement égale, inférieure à 80 micromètres, N étant supérieur à 1. Le mode de réalisation selon l'invention de la couche diélectrique placée entre les électrodes du dispositif de mémoire permet d'augmenter la chargeabilité du diélectrique et de conserver les charges électriques entre les électrodes sur une longue durée.
(RU)Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств. В ячейке памяти, запоминающий элемент которой включает первый электрод, второй электрод и слой диэлектрика расположенный между указанными электродами, согласно изобретению, слой диэлектрика выполнен из N отдельных однотипных пленок по существу равной толщины d<80 мкм, объединенных в стопу, где N>1. В результате. Указанное выполнение слоя диэлектрика, расположенного между электродами запоминающего элемента, обеспечивает увеличение способности диэлектрика к заряжению и длительному сохранению электрических зарядов между электродами.
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
لغة النشر: Russian (RU)
لغة الإيداع: Russian (RU)