بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2006009372) METHOD OF CONTROLLING THE CONDUCTIVITY OF N-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي

رقم النشر: WO/2006/009372 رقم الطلب الدولي: PCT/KR2005/002287
تاريخ النشر: 26.01.2006 تاريخ الإيداع الدولي: 16.07.2005
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 33/14 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
EPIVALLEY CO., LTD. [KR/KR]; 51-2 Neungpyeong-ri, Opo-eup Kwangju-si, Kyunggi-do 464-892, KR (AllExceptUS)
YOO, Tae Kyung [KR/KR]; KR (UsOnly)
JEON, Soo Kun [KR/KR]; KR (UsOnly)
المخترعون:
YOO, Tae Kyung; KR
JEON, Soo Kun; KR
الوكيل:
AN, Sang Jeong; Lee & Kim No.208, Duksan-Best-Tel 69-1 Sangnam-dong Changwon-shi Kyungsangnam-do 641-010, KR
بيانات الأولوية:
10-2004-005586719.07.2004KR
العنوان (EN) METHOD OF CONTROLLING THE CONDUCTIVITY OF N-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER
(FR) PROCEDE DESTINE A REGULER LA CONDUCTIVITE D'UNE COUCHE A SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE DE TYPE N
الملخص:
(EN) The present invention relates to a method of controlling the conductivity of an n-type semiconductor layer which is indispensable in manufacturing a nitride light-emitting device, wherein the n-type nitride layer is formed by alternately depositing an n-type doped In(x)Ga(l-x)N (0<x<1) layer and an undoped GaN layer and the conductivity of the n-type nitride layer is controlled by adjusting the ratios in concentration and thickness between the n-type doped In(x)Ga(l-x)N (0<x<l) layer and the undoped GaN layer.
(FR) La présente invention concerne un procédé destiné à réguler la conductivité d'une couche à semi-conducteur de type n indispensable dans la fabrication d'un dispositif électroluminescent au nitrure. Cette couche de nitrure de type n est formée par dépôt successif d'une couche d'In(x)Ga(1-x)N dopée de type n (0$m(F)x<1) et d'une couche de GaN non dopée, la conductivité de la couche de nitrure de type n étant régulée par ajustement des rapports de concentration et d'épaisseur entre la couche d'In(x)Ga(1-x)N dopée de type n (0$m(F)x<1) et la couche de GaN non dopée.
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (الأريبو) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
المكتب الأوروبي الآسيوي للبراءات (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: الإنكليزية (EN)
لغة الإيداع: كوري (KO)