بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2004006312) GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي   

رقم النشر: WO/2004/006312 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2003/008360
تاريخ النشر: 15.01.2004 تاريخ الإيداع الدولي: 01.07.2003
الفصل الثاني من الطلب المودع: 01.07.2003
التصنيف الدولي للبراءات:
C23C 16/01 (2006.01) ,C23C 16/30 (2006.01) ,C30B 25/02 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
SHIBATA, Masatomo [JP/JP]; JP (UsOnly)
OSHIMA, Yuichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome Minato-ku, Tokyo 108-8001, JP (AllExceptUS)
HITACHI CABLE, LTD. [JP/JP]; 6-1, Otemachi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-8166, JP (AllExceptUS)
USUI, Akira [JP/JP]; JP (AllExceptUS)
المخترعون:
SHIBATA, Masatomo; JP
OSHIMA, Yuichi; JP
الوكيل:
MIYAZAKI, Teruo ; 8th Floor, 16th Kowa Bldg. 9-20, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 107-0052, JP
بيانات الأولوية:
2002-19373302.07.2002JP
العنوان (EN) GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE DU GROUPE III ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
(JA) III族窒化物半導体基板およびその製造方法
الملخص:
(EN) A group III nitride semiconductor substrate low in defect density and less in warp and its manufacturing method are disclosed. The manufacturing process comprises a sequence of steps of forming a metal Ti film (63) on a sapphire substrate (61), performing nitriding, forming a TiN film (64) having pores, growing an HVPE-GaN layer (66) in which voids (65) are formed by the action of the metal Ti film (63) and the TiN film (64), and separating and removing the sapphire substrate (61) from the portion including the voids (65).
(FR) L'invention concerne un substrat semi-conducteur en nitrure du groupe III avec une densité faible de défauts et moins de gauchissement, ainsi que son procédé de fabrication. Ce procédé consiste à former un film de Ti métallique (63) sur un substrat en saphir (61), à réaliser une nitruration, à former un film de TiN (64) comportant des pores, à faire croître une couche de HVPE-GaN (66) dans laquelle des manques (65) sont formés par l'action du film en Ti métallique (63) et du film de TiN (64), et à séparer et à éliminer le substrat en saphir (61) de la portion comprenant les manques (65).
(JA) 本発明は、欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板、ならびにその製造方法を提供し、例えば、本発明にかかる製造プロセスは、下記する一連の工程を含む:サファイア基板61上に金属Ti膜63を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するTiN膜64を形成する;その後、HVPE−GaN層66を成長する;金属Ti膜63およびTiN膜64の作用により、HVPE−GaN層66中には空隙65が形成される;この空隙65の箇所からサファイア基板61を剥離除去する。
front page image
الدول المعيّنة: CN, US
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)