بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2002103767) EPITAXIAL SIO¿X? BARRIER/INSULATION LAYER______________________
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي   

رقم النشر: WO/2002/103767 رقم الطلب الدولي: PCT/US2001/040970
تاريخ النشر: 27.12.2002 تاريخ الإيداع الدولي: 14.06.2001
الفصل الثاني من الطلب المودع: 08.01.2003
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 21/762 (2006.01)
Description not available in lang ar
المودعون:
WANG, Chia-Gee [US/US]; US (UsOnly)
TSU, Raphael [US/US]; US (UsOnly)
LOFGREN, John, Clay [US/US]; US (UsOnly)
NANODYNAMICS, INC. [US/US]; 510 E. 73rd Street New York, NY 10021, US (AllExceptUS)
المخترعون:
WANG, Chia-Gee; US
TSU, Raphael; US
LOFGREN, John, Clay; US
الوكيل:
HANDELMAN, Joseph, H. ; Ladas & Parry 26 West 61st Street New York, NY 10023, US
بيانات الأولوية:
العنوان (EN) EPITAXIAL SIOX BARRIER/INSULATION LAYER______________________
(FR) COUCHE BARRIERE OU ISOLANTE EPITAXIALE EN SIOX
الملخص:
(EN) A method for producing an insulating or barrier layer (Fig. 1B), useful for semiconductor devices, comprises depositing a layer of silicon and at least one additional element on a silicon substrate whereby said deposited layer is substantially free of defects such that epitaxial silicon substantially free of defects can be deposited on said deposited layer. Alternatively, a monolayer of one or more elements, preferably comprising oxygen, is absorbed on a silicon substrate. A plurality of insulating layers sandwiched between epitaxial silicon forms a barrier composite. Semiconductor devices are disclosed which comprise said barrier composite.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'une couche barrière ou isolante (fig. 1B), utile pour des dispositifs à semi-conducteurs. Le procédé consiste à déposer une couche de silicium et au moins un élément supplémentaire sur un substrat de silicium, ladite couche déposée étant sensiblement exempte de défauts afin qu'un silicium épitaxial sensiblement exempt de défauts puisse être déposé sur la couche déposée. Dans une autre forme de réalisation, une monocouche d'un ou de plusieurs éléments, de préférence comprenant oxygène, est absorbée sur un substrat de silicium. Plusieurs couches isolantes prises en sandwich entre un silicium épitaxial forment un composite barrière. L'invention concerne en outre des dispositifs à semi-conducteurs comprenant ce composite barrière.
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: الإنكليزية (EN)
لغة الإيداع: الإنكليزية (EN)